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儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀(guān)察及組份分析。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率125。 功能/應(yīng)用范圍：鈹以上元素定性分析。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時(shí)數(shù)收費(fèi) 儀...
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主要技術(shù)指標(biāo)：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應(yīng)用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域...
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主要技術(shù)指標(biāo)：高真空 功能/應(yīng)用范圍：制備薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時(shí)數(shù)收費(fèi) 儀器負(fù)責(zé)人：金慶原 電話(huà)：65642059...
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主要技術(shù)指標(biāo)：振蕩級(jí):中心波長(zhǎng):800nm,脈沖寬度100fs,500mW,放大級(jí):100fs,800mW,參量放大級(jí):450-750nm 功能/應(yīng)用范圍：主要用于雙光子熒光材料的激發(fā) ...
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主要技術(shù)指標(biāo)：背景真空：3*10-10mbar(原指標(biāo))；5*10-11mbar(目前可達(dá)指標(biāo))。配備LEED/Auger,RHEED 功能/應(yīng)用范圍：磁性超薄膜生長(zhǎng)和性能測(cè)試 主要測(cè)...
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主要技術(shù)指標(biāo)：振蕩級(jí)(Tsunami)：波長(zhǎng)720-850nm,脈寬100fs，重復(fù)頻率82MHz，功率達(dá)750mW。再生放大(Spitfire)：1kHz/0.7W 功能/應(yīng)用范圍：磁性材料動(dòng)力學(xué)研究...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
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主要技術(shù)指標(biāo)：重復(fù)頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs 功能/應(yīng)用范圍：超快光譜學(xué)、非線(xiàn)性光學(xué) 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收...
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主要技術(shù)指標(biāo)：8寸 功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方式 ...
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主要技術(shù)指標(biāo)：橫向分辨率200-300nm，縱向500-700nm，工作深度約200um 功能/應(yīng)用范圍：細(xì)胞熒光成像與微區(qū)光譜研究雙光子激發(fā)熒光成像 主要測(cè)試...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW 功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...
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主要技術(shù)指標(biāo)： *dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào)，對(duì)許多標(biāo)準(zhǔn)制式的單鍵設(shè)置 *Agilent獨(dú)特的差錯(cuò)分析特性，包括隨時(shí)間變化的EVM，隨時(shí)間變化的相...
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主要技術(shù)指標(biāo)：1、Loadlock預(yù)抽真空；2、本底真空：2*10e-8Torr；3、基板加熱，0-400度；4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào)，1-20rpm；5、三路氣體，可反應(yīng)濺射；6、五個(gè)2英寸濺射槍?zhuān)鸵粋€(gè)3...
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主要技術(shù)指標(biāo)：電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應(yīng)用范圍：用于半導(dǎo)體器件的電學(xué)(IV、CV)特性測(cè)試 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) ...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：AFM噪聲水平0.3,可對(duì)云母、石墨原子像成像控制器反饋相應(yīng)時(shí)間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進(jìn)樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性?xún)?yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達(dá)800oC 功能/應(yīng)用范...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準(zhǔn)備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)。可做普通濺射、共濺射和反應(yīng)濺射，可對(duì)樣...
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