快速溫度變化試驗箱

主要性能技術(shù)指標一、標稱內(nèi)容積：2.36m3二、內(nèi)箱尺寸：W1300×H1300×D1400mm三、溫度范圍：－70～+150℃四、溫度變化最大速率：≥10℃/min五、濕...

廣州五所環(huán)境儀器有限公司

快速溫度變化試驗箱

　　主要性能技術(shù)指標一、標稱內(nèi)容積：0.21m3二、內(nèi)箱尺寸：W600×H700×D500mm三、溫度范圍：-70～+150℃四、溫度最大變化速率：≥5℃/min(標準負載下，-...

廣州五所環(huán)境儀器有限公司

高溫試驗箱

主要性能技術(shù)指標一、標稱內(nèi)容積：432L二、內(nèi)箱尺寸：W600mm×H1200mm×D600mm三、溫度范圍：(環(huán)境溫度+20)℃~300℃四、升溫時間：(環(huán)境溫度+20)℃~300℃...

廣州五所環(huán)境儀器有限公司

等離子刻蝕系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標：1.設(shè)備為防氯基、氟基腐蝕的防腐設(shè)備，支持氯基、氟基刻蝕氣體；2.極限真空度：刻蝕室≤2.0×10-4Pa(環(huán)境濕度≤55%，烘烤除氣)，進樣取樣室≤6.7×10-1Pa；3.抽速：...

復(fù)旦大學微納電子科技創(chuàng)新平臺

柔性四件組裝加工手套箱

　　主要技術(shù)指標：FrontpneumaticallylockingslidingdoorforeasysourceandsubstrateaccessMotorisedsubstraterotationFullcomputercontrolwithrecipefunctionsOpt...

復(fù)旦大學微納電子科技創(chuàng)新平臺

無線和微波頻段測試系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標：全球最高帶寬實時示波器63GHz帶寬，2通道/33GHz帶寬，4通道160GSa/s采樣率，2通道/80GSa/s采樣率，4通道業(yè)界容量最深的存儲器，存儲容量高達2Gpts，每個通道...

復(fù)旦大學微納電子科技創(chuàng)新平臺

高通量全自動液體處理

　　主要技術(shù)指標：1.高速度：1分鐘內(nèi)完成對11塊板加樣2.高精度：加樣0.1L時C.V<10%,采用特殊設(shè)計的注射器，可以準確分裝50nl樣品3.配備X-Y方向可以高速移動(6英寸/秒)的載臺，載...

復(fù)旦大學生命科學學院

磁控濺射臺

　　主要技術(shù)指標：高真空　　功能/應(yīng)用范圍：制備薄膜　　主要測試和研究領(lǐng)域：其他　　收費標準：按樣品、小時數(shù)收費　　儀器負責人：金慶原　　電話：65642059...

復(fù)旦大學信息科學與工程學院

化學機械拋光系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標：8寸 　　功能/應(yīng)用范圍：拋光硅片 　　主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 　　收費標準：其它收費方式 　...

復(fù)旦大學信息科學與工程學院

電子束光學鍍膜機系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW　　功能/應(yīng)用范圍：可用于氧化物等薄...

復(fù)旦大學信息科學與工程學院

硅分子束外延系統(tǒng) (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)

主要技術(shù)指標：真空<1X10-9torr　　功能/應(yīng)用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...

復(fù)旦大學物理學系

超高真空磁控濺射儀 (ultra-high vacuum magneto-sputtering system)

　　主要技術(shù)指標：多功能三室7個靶位 　　功能/應(yīng)用范圍：給基片濺射鍍各種膜制作樣品 　　主要測試和研究領(lǐng)域：其他...

復(fù)旦大學物理學系

磁光測量低溫恒溫系統(tǒng) (magneto plasmadynamic measurement low temperature

　　主要技術(shù)指標：用于磁光效應(yīng)的檢測，可以測量其偏振性，相干性 　　功能/應(yīng)用范圍：磁體，光學測量 　　主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...

復(fù)旦大學物理學系

超高真空磁控濺射系統(tǒng)

主要技術(shù)指標：JGP450　　功能/應(yīng)用范圍：基片上濺射各種薄膜制作樣品　　主要測試和研究領(lǐng)域：其他

復(fù)旦大學物理學系

實時勞爾反饋系統(tǒng)

主要技術(shù)指標：實時顯示數(shù)據(jù)結(jié)果，10秒鐘以內(nèi)成像方式，脫離對傳統(tǒng)膠片等化學污染品的依賴，整個系統(tǒng)應(yīng)具有多自由度調(diào)節(jié)，可以任意調(diào)整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...

復(fù)旦大學物理學系

脈沖激光分子束外延設(shè)備腔室及附件

主要技術(shù)指標：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個　　功能/應(yīng)用范圍：在高氣分下生長高質(zhì)量的單晶薄膜　　主要測試和研究領(lǐng)域：其他...

復(fù)旦大學物理學系

真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)

主要技術(shù)指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空<3　10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1　10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導引管需安裝在compactZstage,移動范圍...

復(fù)旦大學物理學系

強磁場低溫系統(tǒng) (Low temperature superconducting magnet system)

主要技術(shù)指標：最大磁場15T，最低溫度300mK　　功能/應(yīng)用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質(zhì)　　技術(shù)特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低　　...

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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Thin Film Depostion System)

主要技術(shù)指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信...

復(fù)旦大學物理學系

電子束蒸發(fā)鍍膜機

主要技術(shù)指標：系統(tǒng)的極限壓強可達≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應(yīng)用范圍：主要用于...

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