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應用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標粒度分析及實驗應用技術(shù)領(lǐng)域E新材料；學科領(lǐng)域物理學；電子、通信與自動控制技術(shù)...
江蘇南京
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主要技術(shù)指標波長：8-9微米；分辨率：320×240像素；靈敏度：0.01℃(30℃時)。應用技術(shù)領(lǐng)域B高技術(shù)服務(wù)；...
江蘇南京
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應用技術(shù)領(lǐng)域: B高技術(shù)服務(wù)； 學科領(lǐng)域: 物理學；電子、通信與自動控制技術(shù) 主要功能: 半導體材料的蒸發(fā) ...
江蘇南京
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主要技術(shù)指標：真空度達1X10-6乇，襯底溫度可達100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應用范圍：有2個DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：波長范圍190-1000nm,功能/應用范圍：測量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費標準：其它收費...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應用范圍：材料微細加工及樣品制備。 主要測試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：分辨率125?！ 」δ?應用范圍：鈹以上元素定性分析?！ ≈饕獪y試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù) 收費標準：按樣品、小時數(shù)收費 儀...
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主要技術(shù)指標：真空度<1e-6mBar，薄膜淀積速率1~10nm/min 功能/應用范圍：離子束濺射，可用于金屬薄膜淀積和樣品物理刻蝕 主要測試和研究領(lǐng)域...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：重復頻率1KHz,單脈沖能量600微焦耳，脈沖寬度50fs 功能/應用范圍：超快光譜學、非線性光學 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費標準：其它收...
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主要技術(shù)指標：8寸 功能/應用范圍：拋光硅片 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) 收費標準：其它收費方式 ...
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主要技術(shù)指標：1.真空腔尺寸:Φ1100×12002.極限真空度:2×10-4Pa3.坩堝容積:2×1000ml3.電子槍功率：10kW 功能/應用范圍：可用于氧化物等薄...
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主要技術(shù)指標： *dc-4.1GHz頻率覆蓋，具有36MHz分析帶寬 *靈活的解調(diào)，對許多標準制式的單鍵設(shè)置 *Agilent獨特的差錯分析特性，包括隨時間變化的EVM，隨時間變化的相...
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主要技術(shù)指標：1、Loadlock預抽真空；2、本底真空：2*10e-8Torr；3、基板加熱，0-400度；4、基板旋轉(zhuǎn)速度可調(diào)，1-20rpm；5、三路氣體，可反應濺射；6、五個2英寸濺射槍，和一個3...
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主要技術(shù)指標：電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應用范圍：用于半導體器件的電學(IV、CV)特性測試 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) ...
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主要技術(shù)指標：AFM噪聲水平0.3,可對云母、石墨原子像成像控制器反饋相應時間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
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主要技術(shù)指標：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性優(yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達800oC 功能/應用范...
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主要技術(shù)指標：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)?？勺銎胀R射、共濺射和反應濺射，可對樣...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：數(shù)字通道：16路P1000數(shù)字通道；128路C400e數(shù)字通道；80路C200e數(shù)字通道模擬通道：一塊AV8，含四路24bit音頻DAC/ADC模塊，四路14bit視頻DAC/ADC模塊一塊WGD，500MspsAW...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：納米壓痕試驗縱向載荷力和位移可實現(xiàn)的最大載荷：10mN位移分辨率：0.0004nm可實現(xiàn)的最大位移：5μm2納米劃痕試驗橫向載荷力和位移可實現(xiàn)的最小橫向力：<5μN...
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