- 您所在的位置：首頁(yè)
儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
-
-
研究領(lǐng)域：生命科學(xué)(生物醫(yī)學(xué)、醫(yī)藥）
湖北
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)1.真空系統(tǒng)：樣品進(jìn)樣室極限真空度≤7×10-9mbar；分析室極限真空度≤1×10-10mbar，X-ray工作時(shí)分析室真空度：1×10-9mbar2.單色化XPS：靈敏度：...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)流速(ml/min):0.000-10流速精度：<0.075%RSD最高耐壓(bar):345樣品溫度范圍：室溫以上5℃-180℃示差折光檢測(cè)器噪音：<5X10-8RIU(1ml/min流速)...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)分別率：3～4nm放大倍數(shù)：×8～×3000,000樣品尺寸：2×2～10×10EDS：131eV主要功能1、材料微觀放大成像2、材料微觀...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)蝕刻反應(yīng)室抽氣速率：真空度<5.0×10^-5Torr(15分鐘內(nèi))；蝕刻反應(yīng)室極限真空：8.0×10^-6Torr；裝載室抽氣速率：真空度<5.0×10^-2Torr(5分鐘內(nèi))；蝕...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)滿度電流量程：2A到200nA輸出電壓:>±30V參考電極輸入阻抗：>10GΩ，電容50pF直流極化電壓范圍：±14.5V電流范圍：±2A，最大分辨率100...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)功率發(fā)生器2kW，2.45GHz；質(zhì)量流量計(jì)10,30,50sccm；系統(tǒng)真空度優(yōu)于1.0×10-6Torr；保壓12小時(shí)后真空度優(yōu)于1.0×10-1Pa主要功能最大沉底加熱溫度900℃...
廣東廣州市
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：點(diǎn)分辨率:0.19nm晶格分辨率:0.10nm掃描透射晶格分辨率:0.2nm能譜能量分辨率：136eV功能/應(yīng)用范圍：1.微結(jié)構(gòu)研究：材料的形貌、缺陷和界面的分析；包括衍襯成...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：X射線發(fā)生器：最大輸出功率：3kW，光管功率：2kW；最大管壓：50kV；最大管流：60mA。測(cè)角儀：采用光學(xué)編碼器技術(shù)；測(cè)角儀半徑：185~285mm可調(diào)；轉(zhuǎn)動(dòng)范圍：-110...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：5X--100X物鏡光學(xué)鏡頭， 功能/應(yīng)用范圍：材料型貌觀察?！ ≈饕獪y(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)方...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：1.點(diǎn)分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場(chǎng)發(fā)射電子槍；4.2k′2kCCD替代普通相機(jī)；5.最小束斑直徑1nm 功能/應(yīng)用范圍：1.微觀形貌結(jié)構(gòu)觀測(cè)；2.在位成分...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)。 功能/應(yīng)用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級(jí)的分辨率和光學(xué)顯微鏡的...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：2nm 功能/應(yīng)用范圍：1.利用二次電子成像，對(duì)各種固體樣品表面進(jìn)行高分辨形貌觀察。2.利用背散射電子成像，生成化學(xué)成分分布圖像。3.用x射線能譜儀，在...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：(1)深度分辨率：幾個(gè)納米；(2)空間分辨率：<一個(gè)微米；(3)質(zhì)量分辨率：m/m5000(4)檢測(cè)靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個(gè)微米的樣品質(zhì)譜分析 功能...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：真空度達(dá)1X10-6乇，襯底溫度可達(dá)100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應(yīng)用范圍：有2個(gè)DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類(lèi)材料薄膜或多層不同薄膜，...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：波長(zhǎng)范圍190-1000nm,功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù)收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：其它收費(fèi)...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應(yīng)用范圍：材料微細(xì)加工及樣品制備。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應(yīng)用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析。 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率125?！ 」δ?應(yīng)用范圍：鈹以上元素定性分析?！ ≈饕獪y(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾電子/信息技術(shù) 收費(fèi)標(biāo)準(zhǔn)：按樣品、小時(shí)數(shù)收費(fèi) 儀...
上海楊浦區(qū)
-
-
主要技術(shù)指標(biāo)：1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
上海楊浦區(qū)
