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儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo)：電流精度10fA電容高頻1MHz 功能/應(yīng)用范圍：用于半導(dǎo)體器件的電學(xué)(IV、CV)特性測(cè)試 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技術(shù) ...
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主要技術(shù)指標(biāo)：AFM噪聲水平0.3,可對(duì)云母、石墨原子像成像控制器反饋相應(yīng)時(shí)間：2s,采樣率50MHZ掃描范圍：0.4μm×0.4μm×0.4μm或10μm×10μm×2...
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主要技術(shù)指標(biāo)：樣品尺寸為4寸硅片濺射室極限真空優(yōu)于1.210-6Pa，進(jìn)樣室(loadlock)真空優(yōu)于6.710-4Pa淀積薄膜厚度均勻性?xún)?yōu)于3%襯底可加熱，溫度最高可達(dá)800oC 功能/應(yīng)用范...
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主要技術(shù)指標(biāo)：極限真空：成膜室1.210-6Pa(loadlock)準(zhǔn)備室6.710-4Pa樣品尺寸：4寸(1片/次)可通3路氣體：Ar、N2、O2(50sccm)?？勺銎胀R射、共濺射和反應(yīng)濺射，可對(duì)樣...
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主要技術(shù)指標(biāo)：數(shù)字通道：16路P1000數(shù)字通道；128路C400e數(shù)字通道；80路C200e數(shù)字通道模擬通道：一塊AV8，含四路24bit音頻DAC/ADC模塊，四路14bit視頻DAC/ADC模塊一塊WGD，500MspsAW...
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主要技術(shù)指標(biāo)：納米壓痕試驗(yàn)縱向載荷力和位移可實(shí)現(xiàn)的最大載荷：10mN位移分辨率：0.0004nm可實(shí)現(xiàn)的最大位移：5μm2納米劃痕試驗(yàn)橫向載荷力和位移可實(shí)現(xiàn)的最小橫向力：<5μN...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率10X10納米Multimode8型 功能/應(yīng)用范圍：納米材料表面形貌、納米薄膜粗糙度研究，納米材料粒徑測(cè)量、納米復(fù)合材料相組成研究及復(fù)合材料界面研究...
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物理特性測(cè)試系統(tǒng) (physical property measurement system)
主要技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：1.9-400K；磁場(chǎng)：+-9TACMS選件：交流磁化率：2*10-8emu；直流磁化率：2.5*10-5emu；VSM選件：直流磁化率：10-7emuACT交流電輸運(yùn)；Resistivity電阻(<=4M歐姆...
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超高真空分子束外延生長(zhǎng)和原位測(cè)量系統(tǒng) (vacuum system for surface studies)
主要技術(shù)指標(biāo)：真空度優(yōu)于1＊10-10torr 功能/應(yīng)用范圍：超高真空生長(zhǎng)磁性金屬超薄膜以及復(fù)雜氧化物薄膜 技術(shù)特色：能夠生長(zhǎng)各種臺(tái)階樣品以及楔形...
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主要技術(shù)指標(biāo)：Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
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強(qiáng)磁場(chǎng)低溫系統(tǒng) (Low temperature superconducting magnet system)
主要技術(shù)指標(biāo)：最大磁場(chǎng)15T，最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍：低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T，測(cè)量噪聲低 ...
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Thin Film Depostion System)
主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信...
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主要技術(shù)指標(biāo)：測(cè)量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
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主要技術(shù)指標(biāo)：系統(tǒng)的極限壓強(qiáng)可達(dá)≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個(gè)，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應(yīng)用范圍：主要用于...
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主要技術(shù)指標(biāo)：最大磁場(chǎng)15T，最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍：低溫時(shí)測(cè)量樣品在磁場(chǎng)下電學(xué)輸運(yùn)性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場(chǎng)能達(dá)到15T，測(cè)量噪聲低 ...
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主要技術(shù)指標(biāo)：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：電子/信息技...
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主要技術(shù)指標(biāo)：測(cè)量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應(yīng)用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
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