檢測認證人脈交流通訊錄
- 儀器名稱：等離子刻蝕系統
- 價格型號：SPTS LPX ICP
- 儀器分類：工藝實驗設備/電子工藝實驗設備
- 應用領域：電子元器件
- 所屬單位：復旦大學微納電子科技創新平臺
- 所在地點：上海市浦東新區張衡路825號
- 產 地：英國
- 產 商：英國SPTS公司
- 價 值：0
- 購置日期：1899-11-30
主要技術指標：1.設備為防氯基、氟基腐蝕的防腐設備，支持氯基、氟基刻蝕氣體；2.極限真空度：刻蝕室≤2.0×10-4 Pa(環境濕度≤55%，烘烤除氣)，進樣取樣室≤6.7×10-1 Pa；3.抽速：通過機械手送樣片后開始抽氣至8.0×10-4 Pa的時間≤20min；4.系統靜態升壓率：抽至高真空，停泵關機12小時后刻蝕室的真空度≤10Pa；5.刻蝕材料：Si、SiO2、Si3N4、Poly-Si、PZT、ZnO、BFO等材料；6.刻蝕速率：0.1~2？m/min；7.刻蝕不均勻性：≤±5%(φ5吋范圍內)；
功能/應用范圍：適用于4英寸硅片；標準ICP深硅刻蝕工藝參數: 20微米深硅刻蝕約2.5微米刻蝕窗口寬度厚度大于1微米光刻膠掩膜或大約0.5微米SiO2掩膜掩膜圖形的硅暴露面積小于10%刻蝕速度：>2微米/分鐘光刻膠的選擇比：>50:1 SiO2的選擇比：>100:1邊壁角度：90±1度
主要測試和研究領域：電子/信息技術
收費標準：其它收費方式
儀器負責人：吳東平
電話：55664846
電子郵件：dongpingwu@fudan.edu.cn
