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主要技術指標：點分辨率:0.19nm晶格分辨率:0.10nm掃描透射晶格分辨率:0.2nm能譜能量分辨率：136eV功能/應用范圍：1.微結構研究：材料的形貌、缺陷和界面的分析；包括衍襯成...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標：X射線發(fā)生器：最大輸出功率：3kW，光管功率：2kW；最大管壓：50kV；最大管流：60mA。測角儀：采用光學編碼器技術；測角儀半徑：185~285mm可調(diào)；轉動范圍：-110...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標：5X--100X物鏡光學鏡頭， 功能/應用范圍：材料型貌觀察。 主要測試和研究領域：材料/珠寶 首飾電子/信息技術 收費標準：其它收費方...
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主要技術指標：1.點分辨率2.3A；2.信息分辨率1A；3.場發(fā)射電子槍；4.2k′2kCCD替代普通相機；5.最小束斑直徑1nm 功能/應用范圍：1.微觀形貌結構觀測；2.在位成分...
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主要技術指標：掃描范圍100um(微米)，縱向分辨率優(yōu)于1A(埃)，橫向分辨率優(yōu)于1nm(納米)。 功能/應用范圍：掃描探針顯微鏡(SPM)的納米量級的分辨率和光學顯微鏡的...
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主要技術指標：2nm 功能/應用范圍：1.利用二次電子成像，對各種固體樣品表面進行高分辨形貌觀察。2.利用背散射電子成像，生成化學成分分布圖像。3.用x射線能譜儀，在...
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主要技術指標：(1)深度分辨率：幾個納米；(2)空間分辨率：<一個微米；(3)質量分辨率：m/m5000(4)檢測靈敏度：ppmppb；(5)絕緣層厚度為幾個微米的樣品質譜分析 功能...
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主要技術指標：真空度達1X10-6乇，襯底溫度可達100度直流濺射電源功率1000瓦 功能/應用范圍：有2個DC濺射靶，可以在真空狀態(tài)下濺射生成一類材料薄膜或多層不同薄膜，...
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主要技術指標：波長范圍190-1000nm,功能/應用范圍：測量薄膜折射率,消光系數(shù)和薄膜厚度主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾電子/信息技術收費標準：其它收費...
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主要技術指標：離子束：30kv分辨率7nm，加速電壓2-30kv。電子束：鎢燈絲電子槍 功能/應用范圍：材料微細加工及樣品制備。 主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標：加速電壓0.5-30kv，15kv分辨率1.0nm。 功能/應用范圍：材料及微電子、光電子器件微區(qū)形貌觀察及組份分析。 主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾電子/信息...
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主要技術指標：分辨率125。 功能/應用范圍：鈹以上元素定性分析。 主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾電子/信息技術 收費標準：按樣品、小時數(shù)收費 儀...
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主要技術指標：1)Chambersize:600*750*620mm2)Ultimatepressure:8.0*10-7mbar3)3*4"Magnetrons(2*DC&1*rf)4)Co-sputteringprocess5)targetdiameter:100mm...
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主要技術指標：美國di公司，掃描探針顯微鏡NanoScopeIV原子力顯微鏡(AFM)能立體三維觀察物體形貌，側向分辨率(X-Y方向)2nm，垂直分辨率(Z方向)0.1nm。具有多種探測(接觸、非接觸...
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主要技術指標：核磁共振是研究分子結構、運動和反應的強有力技術。隨著多重脈沖技術的應用，固體高分辨核磁共振譜儀應運而生，可以便捷地開展固體高分子的研究。Infinityplus300WB...
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主要技術指標：1.點分辨率：0.27nm；線分辨率：0.14nm。2.加速電壓：20,40,80,120,160&200kV,并可連續(xù)調(diào)節(jié)。3.放大倍數(shù)：25X–700KX；放大倍數(shù)和相機長度準確度...
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主要技術指標：變溫范圍：室溫～1000°C，樣品容量：60ml/1.3g，天平靈敏度：0.1mg，升溫/降溫速率：0.1°C/min～200°C/min，樣品氣氛：氮氣、空氣。 功能/...
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小動物多角度活體成像系統(tǒng) (Optical and X-ray Small Animal Imaging System)
主要技術指標：1.科研級制冷16位CCD，400萬像素，最小檢測光子數(shù)<50photos/sec/cm2/sr，讀出噪音3e-，暗電流3×10-4e/sec/pixel；2.定焦鏡頭，f/1.1-f16,58mm，視野20&ti...
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掃描電鏡/能譜儀 (Scanning Electron Microscope)
主要技術指標：點分辨率3.5nm，放大倍率15-300000倍。 功能/應用范圍：納米材料，介觀材料，半導體材料，高分子材料，生物材料等形貌觀察，以及微觀區(qū)域的在線元素分析。...
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透射電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscope)
主要技術指標：點分辨率0.23nm，晶格分辨率0.14nm，放大倍率200-1500000。 功能/應用范圍：納米材料，高分子材料，半導體材料，介觀材料，微孔材料等的形貌觀察、結構...
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