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應用領域:
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主要技術指標：波長范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內>2.5W?功能/應用范圍：c?主要測試和研究領域：其他...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結構的制作，是...
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主要技術指標：系統(tǒng)的極限壓強可達≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應用范圍：主要用于...
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主要技術指標：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
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主要技術指標：該綜合物性測量系統(tǒng)主機PPMS-9能提供9特斯拉強磁場環(huán)境；完全無液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實驗環(huán)境(1.9-400K)；選配的交直流磁學測量系統(tǒng)可測量材料的交流和直流磁化率、...
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超連續(xù)光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)
主要技術指標：該綜合物性測量系統(tǒng)主機PPMS-9能提供9特斯拉強磁場環(huán)境；完全無液氦杜瓦系統(tǒng)P935A能提供極低溫實驗環(huán)境(1.9-400K)；選配的交直流磁學測量系統(tǒng)可測量材料的交流和直流磁化率、...
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主要技術指標：SHG：350-500nmTHG：240-320nm。相對于Mira900-D的轉換效率SHG>15%(700-900nm);>10(900-1000nm);THG4(700-900nm);2(900-1000nm).?功能/應用范圍：針對飛秒型(M...
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主要技術指標：簡單穩(wěn)定的KLM鎖模，易于使用，可靠性高棱鏡或GTI補償GVD，獲得類孤子、接近轉換極限的脈沖X-Wave寬帶腔鏡組,覆蓋700-1000nm的調諧范圍(包括飛秒、皮秒組件)采用VerdiV18泵浦...
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主要技術指標：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個 功能/應用范圍：在高氣分下生長高質量的單晶薄膜 主要測試和研究領域：其他...
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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)
主要技術指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導引管需安裝在compactZstage,移動范圍...
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主要技術指標：最大磁場15T，最低溫度300mK 功能/應用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質 技術特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低 ...
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主要技術指標：脈沖寬度：30-100fs;重復頻率：1kHz;調諧范圍：800-18000nm脈沖能量：1-1000uJ 功能/應用范圍：光譜；超快動力學研究 主要測試和研究領...
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型號規(guī)格：定制、非標設計 所屬部門：物理學系 產(chǎn)地國別：中國 生產(chǎn)廠商：中國科學院沈陽科學儀器研制中心有限公司 存放地點：先進...
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主要技術指標：CCD：100*1340pixels，CCD效率：400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵：150G/mm，300G/mm，1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm，1200G/mmwi...
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主要技術指標：波長：1064nm；脈沖寬度：30ps；重復頻率：20Hz；脈沖能量35mJ 功能/應用范圍：皮秒光譜 主要測試和研究領域：其他...
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主要技術指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域：電子/信息技...
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主要技術指標：測量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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主要技術指標：波長范圍:345-2500nm;脈沖寬度:80-250fs;重復頻率:80MHZ;平均功率:690–1040nm范圍內>2.5W 功能/應用范圍：線性和非線性光譜測試，超快動力學研究。...
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主要技術指標：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結構的制作，是...
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主要技術指標：樣品尺寸：2,4，6英寸基片，兼容加工小片和碎片；有加熱和冷卻裝置；下電極溫度范圍-150°C…+400°C；刻蝕氣體8路：HBr，SF6，C4F8,CHF3，BCl3,O2,N2,Ar。...
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