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主要技術(shù)指標：測量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標：系統(tǒng)的極限壓強可達≤5x10-8Torr；30分鐘從大氣壓抽到≤5x10-6Torr;坩堝的數(shù)目4個，坩堝的容量不小于7cc;電子槍功率不小于5kW。 功能/應用范圍：主要用于...
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主要技術(shù)指標：最大磁場15T，最低溫度300mK 功能/應用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低 ...
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主要技術(shù)指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領域：電子/信息技...
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主要技術(shù)指標：測量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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主要技術(shù)指標：分辨率：1.0nm@15kV、1.9nm@1kV；離子束分辨率：2.5nm@30kV;加速電壓：0.1-30kV(SEM)、1-30kV(FIB)?功能/應用范圍：用于各種微納器件和低維納米人工結(jié)構(gòu)的制作，是...
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