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技術指標 波譜范圍:12-8000譜數;785nm,532nm,325nm三個激發(fā)波長;溫度范圍:-196-600度 儀器用途 材料\化學\物理\生物\醫(yī)學...
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技術指標 代表元素靈敏度：In>25Mcps/(mg/L);質量范圍：5～270amu；穩(wěn)定性：RSD
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技術指標 加速電壓0.5-30KV、放大倍數20-800000、分辨率1.0nm 儀器用途 表面形態(tài)分析、元素分析
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技術指標 最高放大倍數：TEM100萬倍;STEM230萬倍點分辨率：0.20nm線分辨率：0.102nmSTEMHAADF分辨率：0.17nm最高加速電壓:300KV。 儀器用途 生物、醫(yī)學、材料...
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技術指標 可分析的元素范圍：Na-U；可分析薄膜鍍層厚度范圍：100納米-50微米；探測器對MnKα線的分辨率優(yōu)于155eV。 儀器用途 ...
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技術指標 差示掃描量熱儀DSC：溫度范圍：-70～750℃，溫度精度：小于±0.008℃，量熱靈敏度：0.18?w，最快程控升降溫速率：750℃/min熱重分析儀TGA：溫度范圍：室溫～...
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技術指標 最佳空間分辨率：≤3μm;最佳能量分辨率：≤0.45ev;;大面積,能量分辨率≤0.50ev，靈敏度400,000cps;空間分辨率20μm，能量分辨率≤0.50ev，靈敏度500cps. 儀器用途...
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技術指標 143Nd/144Nd誤差<5ppm；87Sr/86Sr<10ppm；206Pb/204Pb<0.2%；11B/10B<1‰ 儀器用途 化學；地球...
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技術指標?超導磁體磁場：9.395T(對應于1H共振頻率400MHz)。最大射頻脈沖功率：1KW。可測量核：旋磁比γ大于109Ag的、核自旋I≠0的所有原子核(例如：1H、13C、109Ag、39K、35Cl、29...
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技術指標 系統包括10個HS22登錄節(jié)點，402個HS22計算節(jié)點，每節(jié)點：CPUIntelE55502.66GHz，MemoryDDRIII1333MHz12GB，DiskSAS146GB，20GbpsInfiniband網卡，雙千兆...
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技術指標 39升/小時液氦(有液氮預冷)；23升/小時液氦(無液氮預冷)。 儀器用途 為相關教學科研設備提供液氦低溫冷源。液氦是現階段極端條件(極...
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技術指標?溫度控制精度±1℃，生長GaN材料濃度在1×1017cm-2時遷移率達到500cm2/v*s以上；P型參雜濃度達到LED生長技術要求的1×1012cm2以上。?儀器用途?寬禁帶半...
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技術指標 電子束斑：1kV加速電壓時小于4nm，20kV加速電壓時小于2nm；束流大小漂移：小于0.5%/8小時；束斑位置漂移：小于300nm/小時。 儀器用途...
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技術指標?三個電子束蒸發(fā)源(可擴充至8個)，低溫掃描隧道顯微系統最低溫度5K、磁場0.15T，QPlus的原子力顯微鏡，低溫磁光系統最低溫度20K、磁場1.4T，俄歇電子能譜儀，低能電子衍射...
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