技術指標
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溫度控制精度±1℃,生長GaN材料濃度在1×1017cm-2時遷移率達到500cm2/v*s以上;P型參雜濃度達到LED生長技術要求的1×1012cm2以上。
儀器用途
寬禁帶半導體材料及其器件結構材料生長。
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