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應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標：JGP450 功能/應(yīng)用范圍：基片上濺射各種薄膜制作樣品 主要測試和研究領(lǐng)域：其他
上海楊浦區(qū)
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超高真空分子束外延生長和原位測量系統(tǒng) (vacuum system for surface studies)
主要技術(shù)指標：真空度優(yōu)于1＊10-10torr 功能/應(yīng)用范圍：超高真空生長磁性金屬超薄膜以及復(fù)雜氧化物薄膜 技術(shù)特色：能夠生長各種臺階樣品以及楔形...
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單頻可調(diào)諧鈦寶石激光系統(tǒng) (pulse dye laser)
主要技術(shù)指標：Verdi-V10:10W532nmMBR110EL:>1.5w700nm-1000nmMBD-20020mw-500mw350nm-500nm?功能/應(yīng)用范圍：超高分辨率拉曼光譜；可調(diào)諧紫外光源；光致發(fā)光；原子誘捕和冷...
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近場掃描光學顯微鏡 (Scan near-field optical microscopy)
主要技術(shù)指標：采用3DFlatscan掃描器，掃描范圍:XY方向70um、Z方向70um，另外有30um和10um掃描器選配，掃描步進：70um掃描器＜1nm、10um掃描器＜0.1nm，掃描器厚度7mm,重量75克；近場光學顯...
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熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)
主要技術(shù)指標：焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm，用1200條/mm光柵；光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數(shù)3平場尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時)0.06nm波...
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氧化物薄膜分子束外延設(shè)備 (oxide molecular beam exptaxy system)
主要技術(shù)指標：真空度10e-9mbar8個單質(zhì)蒸發(fā)源單原子層精度控制氧化物薄膜生長襯底10X10mm 功能/應(yīng)用范圍：小尺寸氧化物薄膜生長 技術(shù)特色：單原子層精度控制氧化...
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掃描探針顯微鏡 (Scanning Probe Microscopy)
主要技術(shù)指標：掃描范圍：10μm×10μm橫向分辨率：~5nm(電學測量模式為10~20nm)CAFM電流分辨率<5pA 功能/應(yīng)用范圍：功能包括：AFM，EFM，CAFM，SKM，SCM等...
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主要技術(shù)指標：實時顯示數(shù)據(jù)結(jié)果，10秒鐘以內(nèi)成像方式，脫離對傳統(tǒng)膠片等化學污染品的依賴，整個系統(tǒng)應(yīng)具有多自由度調(diào)節(jié)，可以任意調(diào)整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...
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主要技術(shù)指標：versalab 功能/應(yīng)用范圍：用于測量樣品的磁矩與磁電阻 主要測試和研究領(lǐng)域：其他
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超連續(xù)光纖激光器 (Supercontinuum fibre Lasers)
主要技術(shù)指標：參數(shù)值波長范圍460-2400nm最小功率密度>3mW/nm重復(fù)頻率(固定的)80MHz總電源脈沖寬度5ps總可見光功率(460-850nm)>1300mW總平均功率(460-1750nm)>4500mW輸出偏振去偏...
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主要技術(shù)指標：Avg.ModelockedPower:>300mW Bandwidth:>70nm CentralWavelength(nominal):800nm RepetitionRate:80MHz PulseWidth:<20fs Internal...
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主要技術(shù)指標：真空度5×10-10torr樣品溫度室溫～1000CPLD靶數(shù)量6個 功能/應(yīng)用范圍：在高氣分下生長高質(zhì)量的單晶薄膜 主要測試和研究領(lǐng)域：其他...
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真空系統(tǒng) (Pulsed Laser Deposition)
主要技術(shù)指標：(1)每臺真空腔的極限本底真空<3 10-10Torr。(2)PLD腔需帶臭氧發(fā)生器;臭氧工作氣壓>1 10-3Torr;臭氧純度>13%;臭氧導(dǎo)引管需安裝在compactZstage,移動范圍...
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強磁場低溫系統(tǒng) (Low temperature superconducting magnet system)
主要技術(shù)指標：最大磁場15T，最低溫度300mK 功能/應(yīng)用范圍：低溫時測量樣品在磁場下電學輸運性質(zhì) 技術(shù)特色：垂直樣品的磁場能達到15T，測量噪聲低 ...
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主要技術(shù)指標：脈沖寬度：30-100fs;重復(fù)頻率：1kHz;調(diào)諧范圍：800-18000nm脈沖能量：1-1000uJ 功能/應(yīng)用范圍：光譜；超快動力學研究 主要測試和研究領(lǐng)...
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主要技術(shù)指標：磁控濺射靶位：4個 功能/應(yīng)用范圍：利用磁控濺射生長金屬或氧化物薄膜 主要測試和研究領(lǐng)域：其他...
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主要技術(shù)指標：CCD：100*1340pixels，CCD效率：400nm到900nm有85%以上的量子效率反射光柵：150G/mm，300G/mm，1200G/mmwith500nmblaze,150G/mmwith800nmblaze,300G/mm，1200G/mmwi...
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主要技術(shù)指標：波長：1064nm；脈沖寬度：30ps；重復(fù)頻率：20Hz；脈沖能量35mJ 功能/應(yīng)用范圍：皮秒光譜 主要測試和研究領(lǐng)域：其他...
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Thin Film Depostion System)
主要技術(shù)指標：電子槍功率3kW，本底真空10E-9Torr，6寸旋轉(zhuǎn)樣品托(可液氮冷卻)，坩堝5*2.24cc 功能/應(yīng)用范圍：蒸鍍各種金屬薄膜 主要測試和研究領(lǐng)域：電子/信...
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主要技術(shù)指標：測量模式：接觸模式、輕巧模式、MFM、EFM、智能掃描模式、抬高模式、力曲線模式、TR-Mode、橫向力模式、STM、C-AFM；XY方向不小于90µm×90µm，Z方向不小于10...
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