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儀器類(lèi)別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標(biāo)：1.分辨率EnergyResolution:在MnKa線(xiàn)處測(cè)量分辨率≤127eVEnergyresolution≤127eV,atMnKaline2.超輕元素分辨率LightElementEnergyResolution:在FKa線(xiàn)處測(cè)量分...
上海楊浦區(qū)
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：高真空成像，最佳工作距離0.8nm@30kV(STEM)1.0nm@15kV(TLD-SE)1.4nm@1kV(TLD-SE)，非減速模式3.5nm@100V(DBS)高真空分析，分析工作距離3.0nm@...
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主要技術(shù)指標(biāo)：分辨率：一級(jí)分辨率3萬(wàn)，二級(jí)分辨率1.4萬(wàn)左右質(zhì)量精度：2ppm掃描速度：100Hz 功能/應(yīng)用范圍：TripleTOFTM5600+系統(tǒng)是快速評(píng)估藥物代謝穩(wěn)定性、藥物在體內(nèi)特征...
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場(chǎng)發(fā)射透射電子顯微鏡(Field Emission Transmission Electron Microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：點(diǎn)分辨率：0.24nm,晶格分辨：0.102nm,信息分辨率：0.14nm,STEM分辨率：0.20nmEDS(能譜儀)能量分辨率：<127eV,元素范圍：Be-Cf 功能/應(yīng)用范圍：納米材...
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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Electron Beam Evaporator)
主要技術(shù)指標(biāo)：.真空<3X10-9托 功能/應(yīng)用范圍：現(xiàn)有功能：a.三個(gè)室:進(jìn)樣室、分析室、生長(zhǎng)室。b.二個(gè)蒸發(fā)源、一個(gè)P型摻雜源和一路反應(yīng)氣體c.反射高能電子衍射儀(RHEED)d.四...
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主要技術(shù)指標(biāo)：兩級(jí)相加單色儀。不對(duì)稱(chēng)的Czerny-Turner結(jié)構(gòu)。針對(duì)紫外，可見(jiàn)和紅外不同區(qū)域可轉(zhuǎn)換的光柵。高精度sin-bar驅(qū)動(dòng)。光柵水平轉(zhuǎn)動(dòng)軸。3級(jí)/4水平狹縫，以獲得很高的雜散光濾除水平。...
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硅分子束外延系統(tǒng) (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)
主要技術(shù)指標(biāo)：真空<1X10-9torr 功能/應(yīng)用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...
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超高真空掃描隧道顯微鏡 (Ultra_high vacuum scanning tunneling microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：分析室本底真空度優(yōu)于3.0x10(-10)mb，制備室本底真空度優(yōu)于6.0x10(-10)mb。樣品燈絲加熱溫度900oC，而直接通電流加熱溫度可高于1200oC。 功能/應(yīng)用范...
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表面磁光克爾效應(yīng)儀 (surface magneto-optic Kerr effect instrument)
主要技術(shù)指標(biāo)：kerrrotation10E-5rad 功能/應(yīng)用范圍：thinfilmmagnetismmeasurement,roomtemperature 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
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掃描探針顯微鏡 (scanning probe microscope)
主要技術(shù)指標(biāo)：50x50x2.5μm掃描器，AFM橫向分辨率10-50nm，縱向分辨率〉1nm。 功能/應(yīng)用范圍：功能包括：AFM，CAFM和EFM主要可用于較大范圍(1-50um)的表面性貌的測(cè)試和簡(jiǎn)...
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顯微拉曼系統(tǒng) (Micro Raman system)
主要技術(shù)指標(biāo)：通光效率大于30%。光譜范圍：200nm-1000nm，光譜分辨率：1cm^-1。空間分辨率：橫向0.5微米，縱向2微米。低波數(shù)：200cm^-1，100cm^-1，50cm^-1，10cm^-1供選擇。可選激光器：紫...
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固體泵浦鈦寶石激光器 (solid punped ti-toped laser)
主要技術(shù)指標(biāo)：輸出120飛秒，400mW,800nm的激光 功能/應(yīng)用范圍：可用于測(cè)試多種材料的非線(xiàn)性光學(xué)性質(zhì)和超快響應(yīng) 技術(shù)特色：2002年進(jìn)口，現(xiàn)在已...
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超高真空磁控濺射儀 (ultra-high vacuum magneto-sputtering system)
主要技術(shù)指標(biāo)：多功能三室7個(gè)靶位 功能/應(yīng)用范圍：給基片濺射鍍各種膜制作樣品 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他...
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物理特性測(cè)試系統(tǒng) (physical property measurement system)
主要技術(shù)指標(biāo)：溫度范圍：1.9-400K；磁場(chǎng)：+-9TACMS選件：交流磁化率：2*10-8emu；直流磁化率：2.5*10-5emu；VSM選件：直流磁化率：10-7emuACT交流電輸運(yùn)；Resistivity電阻(<=4M歐姆...
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飛秒脈沖激光器系統(tǒng) (Ultrafast Pulse laser system)
主要技術(shù)指標(biāo)：飛秒脈沖激光系統(tǒng)，脈沖寬度為150fs，單脈沖能量為800uJ(波長(zhǎng)800nm處)，重復(fù)頻率為1000Hz 功能/應(yīng)用范圍：可以研究fs量級(jí)的動(dòng)力學(xué)過(guò)程，測(cè)量光子壽命&nbs...
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磁光測(cè)量低溫恒溫系統(tǒng) (magneto plasmadynamic measurement low temperature
主要技術(shù)指標(biāo)：用于磁光效應(yīng)的檢測(cè)，可以測(cè)量其偏振性，相干性 功能/應(yīng)用范圍：磁體，光學(xué)測(cè)量 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...
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拉曼熒光光譜儀 (Raman fluorescent Spectrograph)
主要技術(shù)指標(biāo)：配有633nm激光，也可以引入其他波長(zhǎng)激光器，鏡頭有10，40，50倍，可以進(jìn)行熒光的測(cè)量和拉曼散射的測(cè)量 功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量熒光光譜，拉曼散射譜 ...
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角分辨聯(lián)合能譜儀 (angular resolved electron spectrometer)
主要技術(shù)指標(biāo)：能量分辨率5mev，動(dòng)量分辨率0.3度。真空5E-11mbar，可用多種氣體放電得到多種光子能量。 功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量材料的電子結(jié)構(gòu)信息。 主要測(cè)試和...
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振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì) (Vibrating sample magnetometer)
主要技術(shù)指標(biāo)：型號(hào)：7407 功能/應(yīng)用范圍：用于測(cè)量樣品的磁矩 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：其他 ...
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光子壽命測(cè)量控制裝置 (Photon life measurement control equipment)
主要技術(shù)指標(biāo)：可以測(cè)量fs量級(jí)的粒子壽命，研究光學(xué)材料的性能 功能/應(yīng)用范圍：測(cè)量光子壽命 主要測(cè)試和研究領(lǐng)域：材料/珠寶首飾其他...
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