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主要技術指標1.真空系統：樣品進樣室極限真空度≤7×10-9mbar；分析室極限真空度≤1×10-10mbar，X-ray工作時分析室真空度：1×10-9mbar2.單色化XPS：靈敏度：...
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主要技術指標流速(ml/min):0.000-10流速精度：<0.075%RSD最高耐壓(bar):345樣品溫度范圍：室溫以上5℃-180℃示差折光檢測器噪音：<5X10-8RIU(1ml/min流速)...
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主要技術指標分別率：3～4nm放大倍數：×8～×3000,000樣品尺寸：2×2～10×10EDS：131eV主要功能1、材料微觀放大成像2、材料微觀...
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主要技術指標蝕刻反應室抽氣速率：真空度<5.0×10^-5Torr(15分鐘內)；蝕刻反應室極限真空：8.0×10^-6Torr；裝載室抽氣速率：真空度<5.0×10^-2Torr(5分鐘內)；蝕...
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主要技術指標滿度電流量程：2A到200nA輸出電壓:>±30V參考電極輸入阻抗：>10GΩ，電容50pF直流極化電壓范圍：±14.5V電流范圍：±2A，最大分辨率100...
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主要技術指標功率發(fā)生器2kW，2.45GHz；質量流量計10,30,50sccm；系統真空度優(yōu)于1.0×10-6Torr；保壓12小時后真空度優(yōu)于1.0×10-1Pa主要功能最大沉底加熱溫度900℃...
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