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主要技術指標：數(shù)字通道：16路P1000數(shù)字通道；128路C400e數(shù)字通道；80路C200e數(shù)字通道模擬通道：一塊AV8，含四路24bit音頻DAC/ADC模塊，四路14bit視頻DAC/ADC模塊一塊WGD，500MspsAW...
上海楊浦區(qū)
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主要技術指標：納米壓痕試驗縱向載荷力和位移可實現(xiàn)的最大載荷：10mN位移分辨率：0.0004nm可實現(xiàn)的最大位移：5μm2納米劃痕試驗橫向載荷力和位移可實現(xiàn)的最小橫向力：<5μN...
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主要技術指標：分辨率10X10納米Multimode8型 功能/應用范圍：納米材料表面形貌、納米薄膜粗糙度研究，納米材料粒徑測量、納米復合材料相組成研究及復合材料界面研究...
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主要技術指標：粒徑范圍:30-3000nm質量范圍:1-800Da質譜分辨率:500m/m總吸入流量:0.1±0.005L/min解析離子化激光：0.5mJ/pulseat266nm 功能/應用范圍：3800-ATO...
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主要技術指標：頻率范圍：0.01～100Hz(25個固定頻率);控溫范圍：-170C～600C，加熱速率：0.1～20C/min，冷卻速率：0.1～10C/min?！ 」δ?應用范圍：研究聚合物的玻璃化轉變和次...
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主要技術指標：流量范圍：0.2～10.0ml/min；柱溫范圍：低于環(huán)境溫度10～80C；波長范圍：190～950nm(波長精度1nm)；折光指數(shù)：1.00～1.75RIU；相對分子量：200～3*106 ...
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主要技術指標：頻率范圍：10-5~100rad/sec；應變范圍：0.05mrad~0.5rad；扭矩范圍：0.02~2000gcm；法向力范圍：2~2000g；空氣爐溫度范圍：室溫~550℃；浴槽溫度范圍：-8°C~80&...
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主要技術指標：變溫范圍：室溫～1000°C，樣品容量：60ml/1.3g，天平靈敏度：0.1mg，升溫/降溫速率：0.1°C/min～200°C/min，樣品氣氛：氮氣、空氣 功能/應用范圍：測...
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主要技術指標：變溫范圍：-170～725攝氏度；溫度精度：0.8攝氏度；加熱或冷卻速率:0.01～550攝氏度/min?！ 」δ?應用范圍：研究聚合物的玻璃化轉變；研究聚合物的熔融...
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主要技術指標：美國di公司，掃描探針顯微鏡NanoScopeIV原子力顯微鏡(AFM)能立體三維觀察物體形貌，側向分辨率(X-Y方向)2nm，垂直分辨率(Z方向)0.1nm。具有多種探測(接觸、非接觸...
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主要技術指標：核磁共振是研究分子結構、運動和反應的強有力技術。隨著多重脈沖技術的應用，固體高分辨核磁共振譜儀應運而生，可以便捷地開展固體高分子的研究。Infinityplus300WB...
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主要技術指標：X射線發(fā)生器最大管壓：60kV，最大管流：60mA，陶瓷X光管最大功率：2.2kW(Cu靶)，最大管壓：60kV，最大管流：55mA 功能/應用范圍：材料結構相關多方面的...
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主要技術指標：掃描電鏡的主要原理是用聚焦電子束在試樣表面逐點掃描成像。真空值為5×10-3～2000Pa可調整，放大倍率為4到500,000倍，分辨率：3.0~4.0nm@30kV?！ ?..
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飛行時間質譜儀 (Matrix Assisted Laser Desorption/Ionization-Time Of Flight Mass
主要技術指標：質量范圍：>350000m/z分辨率：線性模式(Myoglobin,m/z=16952)>1000;(Angiotensin,m/z=1296)>2500反射模式(Insulin,m/z=5743)>10000質量精度：線性模...
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主要技術指標：泵流速：0.5-150mL/min；自動進樣器：最大進樣體積15uL(分析)，3mL(制備)；紫外檢測器：波長范圍190-700nm；質譜檢測器：單級四級桿檢測器，質量范圍2-2000Da，ESCI...
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主要技術指標：1.點分辨率：0.27nm；線分辨率：0.14nm。2.加速電壓：20,40,80,120,160&200kV,并可連續(xù)調節(jié)。3.放大倍數(shù)：25X–700KX；放大倍數(shù)和相機長度準確度...
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主要技術指標：變溫范圍：室溫～1000°C，樣品容量：60ml/1.3g，天平靈敏度：0.1mg，升溫/降溫速率：0.1°C/min～200°C/min，樣品氣氛：氮氣、空氣?！ 」δ?...
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主要技術指標：溫度范圍：-90C～550C；準確度：±0.1C；精確度：±0.01C；升溫速率：0.01～550C/min；最大程序降溫速率：高溫降至170C速率為100C/min，低溫降至-80C速率為300C/min；量熱靈敏度0...
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主要技術指標：加速電壓200kV，放大倍數(shù)25-700000，點分辨率0.27nm,線分辨率0.14nm，STEM分辨率1.0nm，能譜能量分辨率136eV(MnK?線)，能譜分析元素范圍5B-92U?！ 」?..
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主要技術指標：物鏡(5個)：5X、10X、20X、50X、100X；藍光激發(fā)波長：515~560nm；綠光激發(fā)波長：470~490nm；成像系統(tǒng)：500萬像素數(shù)字CCD；冷熱臺溫度范圍：-196~600℃；剪切臺溫度范...
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