-
-
1、簡介電子元器件技術的快速發展和可靠性的提高奠定了現代電子裝備的基礎，元器件可靠性工作的根本任務是提高元器件的可靠性。因此，必須重視和加快發展元器件的可靠性分析工作，通過分析確...
上海
-
-
1、簡介隨著生產和科學技術的發展，人們不斷對高分子材料提出各種各樣的新要求。總的來說，今后對高分子材料技術總的發展趨勢是高性能化、高功能化、復合化、智能化和綠色化。因為技術的全...
上海
-
-
1、簡介隨著生產和科學技術的發展，越來越多的復合材料廣泛應用于我們的生活。因為復合材料熱穩定性好、比強度/比剛度高、抗疲勞性能好等諸多優點，故其廣泛應用于航空航天、汽車工業、制造業...
上海
-
-
1、簡介隨著生產和科學技術的發展，涂/鍍層材料逐步出現在人們的視野并且迅速發展并遍布于我們生活。總的來說，今后對涂/鍍層材料技術總的發展趨勢是高性能化、高功能化、智能化和綠色化等。...
上海
-
-
清洗劑通常由表面活性劑、溶劑、無機助洗劑、鈣鎂離子螯合劑等成分復配而成，屬于配方型精細化工產品。通過現代分析儀器綜合分析方法對清洗劑產品進行成分及配比分析，這個過程稱為清洗劑成分分...
上海
-
-
檢測用途通過調查、現場檢測、結構分析驗算、對房屋安全性進行鑒定，主要適用于已發現安全隱患、危險跡象或其他需要評定安全性等級的房屋。檢測項目 檢查房屋結構損壞狀況，分析...
上海
-
-
產品加貼CE標志意義何在？CE標志的意義在于：表示加貼CE標志的產品已通過相應的合格評定程序和/或制造商的合格聲明，符合歐盟有關指令規定，并以此作為該產品被允許進入歐共體市場銷售...
上海
-
-
ISO國際質量體系認證主要內容有： (一)質量管理體系診斷； (二)培訓； (三)質量管理體系整合編訂； (四)成立推行委員會； (五)質量管理體系要求； (六)手冊分...
上海
-
-
為了能確保前述CE標志(CEMarking)認證實施過程中的4項要求得以滿足，歐盟法律要求位于30個EEA盟國境外的制造商必須在歐盟境內指定一家歐盟授權代表（歐盟授權代理）（AuthorizedRepresent...
上海
-
-
根據歐盟機械指令(MD)的規定，凡是在歐洲境內使用的機械，不論是歐洲各國所制造的，還是外國所制造而銷往歐洲境內的機械，都必須符合相關的歐洲標準，而且在機械本體上必須粘貼CE標志，已...
上海
-
-
根據歐盟機械指令(MD)的規定，凡是在歐洲境內使用的機械，不論是歐洲各國所制造的，還是外國所制造而銷往歐洲境內的機械，都必須符合相關的歐洲標準，而且在機械本體上必須粘貼CE標志，已表示本...
上海
-
-
紅外光譜IR,又稱傅立葉紅外光譜FTIR,利用分子中的化學鍵或官能團可發生震動吸收，不同的化學鍵或官能團吸收頻率不同，在紅外光譜上將處于不同位置，從而可獲得分子中含有何種化學鍵或官能團...
上海
-
-
紫外光譜法，是測定物質分子在紫外光區吸收光譜的分析方法。紫外吸收光譜是物質吸收紫外光后，其價電子從低能級向高能級躍遷，產生吸收峰形成的。并非所有的有機物質在紫外光區都有吸收，只有那...
上海
-
-
ICP-MS測試_ICP-MS檢測_電感耦合等離子體質譜測試服務
測定每種化學元素的氣態原子或離子受激后所發射的特征光譜的波長及強度來確定物質中元素組成和含量。用于微量元素的分析，可分析的元素為大多數的金屬和硅、磷、硫等少量的非金屬。儀器技術參...
上海
-
-
測定每種化學元素的氣態原子或離子受激后所發射的特征光譜的波長及強度來確定物質中元素組成和含量。用于微量元素的分析，可分析的元素為大多數的金屬和硅、磷、硫等少量的非金屬。儀器技術參...
上海
-
-
拉曼光譜分析技術是以拉曼效應為基礎建立起來的分子結構表征技術,其信號來源與分子的振動和轉動。拉曼光譜的分析方向有：定性分析：不同的物質具有不同的特征光譜，因此可以通過光譜進行定性分...
上海
-
-
XRF用X光照射待分析樣品，樣品中的元素內層電子被擊出后，造成核外電子的躍遷，在被激發的電子返回基態的時候，會放射出特征X光；不同的元素會放射出各自的特征X光，具有不同的能量或波長...
上海
-
-
X射線衍射分析（X-raydiffraction，簡稱XRD），是利用晶體形成的X射線衍射，對物質進行內部原子在空間分布狀況的結構分析方法。儀器技術參數小角衍射最小角可以達到0.4度，主要測量介孔材...
上海
-
-
X射線光電子能譜（XPS），基于光電離作用，當一束光子輻射到樣品表面時，光子可以被樣品中某一元素的原子軌道上的電子所吸收，使該原子解脫原子核的束縛，以一定的動能從原子內部發射出來，變成...
上海
-
-
BET測試理論是根據希朗諾爾、埃米特和泰勒三人提出的多分子層吸附模型，并推導出單層吸附量Vm與多層吸附量V間的關系方程，即著名的BET方程。儀器技術參數孔隙度：3.5～5000A孔徑：2nm...
上海
