電導(dǎo)率成像系統(tǒng)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：1、頻率范圍0.1~100000HZ；2、沖量400Amp-m2；3、通道4道；4、內(nèi)置計(jì)算機(jī)IBM兼容80486CPU8MbRAM；5、模數(shù)轉(zhuǎn)換18位；6、處理器32浮點(diǎn)7、帶寬DC-96KHZ；8、工作溫度0~500。...

中南大學(xué)

基因芯片點(diǎn)樣儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：點(diǎn)樣頭1個(gè)，點(diǎn)樣針8個(gè)，測(cè)試針8個(gè)，數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)1個(gè),一次可放50塊標(biāo)準(zhǔn)玻片,3塊樣品板.　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：生態(tài)環(huán)境，材料，地質(zhì)礦產(chǎn)　　檢測(cè)項(xiàng)目：制作DNA芯片,...

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透反光偏光顯微鏡

　　主要技術(shù)指標(biāo)：物鏡倍數(shù)×5，×10，×20，×50，×100(油浸)目鏡倍數(shù)×10λ，1/4λ計(jì)色器，聚光鏡及勃氏鏡　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：生態(tài)環(huán)境...

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爆破振動(dòng)測(cè)量?jī)x

　　主要技術(shù)指標(biāo)：技術(shù)規(guī)格：主機(jī)四通道，擴(kuò)展四通道；與國(guó)內(nèi)電磁源相匹配；與八通道相匹配的高級(jí)分析模塊；三向傳感器　　主要附件及功能：功能:爆破產(chǎn)生的振動(dòng)觀(guān)測(cè)　　主要應(yīng)用...

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電子萬(wàn)能試驗(yàn)機(jī)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：載荷范圍：±100KN速度范圍：0.05mm/mm應(yīng)變測(cè)量行程：±5mm設(shè)備工作空間：800mm　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：材料拉...

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熱膨脹儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：最高溫度：800℃　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：測(cè)試陶瓷、金屬等材料的熱膨脹系數(shù)　　儀器聯(lián)系人：姜國(guó)圣　　聯(lián)系人電話(huà)...

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熱重差熱同步分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：儀器測(cè)試溫度范圍：室溫~1200℃線(xiàn)性升溫速率：0.01~100℃/min樣品測(cè)量范圍：0~5000mg　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：生物醫(yī)學(xué)，石油化工，地質(zhì)礦產(chǎn)　　檢測(cè)項(xiàng)目：同步DTA曲...

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離子色譜儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：①電導(dǎo)測(cè)量范圍；0～5000μS/㎝；②陰離子背景電導(dǎo)率＜1μS/㎝；③氯離子、溴離子檢測(cè)下限＜1ppb，RSD%＜5%；④陽(yáng)離子經(jīng)預(yù)濃縮，檢測(cè)下限＜RSD%＜5%；　　主要應(yīng)...

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快速比表面孔徑分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：可測(cè)孔徑范圍為17埃-3000埃。　　主要附件及功能：待測(cè)樣品事先在制備站經(jīng)加溫和真空脫附進(jìn)行預(yù)處理，預(yù)處理前后用天平精確稱(chēng)重，得到純凈樣品重量。樣品完成預(yù)處理...

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傅里葉紅外光譜儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：①測(cè)定波數(shù)范圍7800至350㎝-1；②分辨率：0.4㎝-1；　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)　　檢測(cè)項(xiàng)目：檢測(cè)固體、液體的紅外光譜、高溫高溫條件下物質(zhì)的紅外光譜...

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旋轉(zhuǎn)流變儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：動(dòng)態(tài)振蕩最小扭矩CR；0.03uN.m；動(dòng)態(tài)振蕩最小扭矩CS；0.1uN.m；穩(wěn)態(tài)最小扭矩CR；0.05uN.m；穩(wěn)態(tài)最小扭矩CS；0.1uN.m；應(yīng)變切換時(shí)間：60ms；馬達(dá)慣量：15uN.ms；smartswap...

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比表面積及孔分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：最小比表面積0.01m2/g最小可分辨率相對(duì)壓力(p/po)：2.6×10-7N2　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：?jiǎn)吸c(diǎn)BET,多點(diǎn)BET,孔徑分布平均...

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超動(dòng)態(tài)應(yīng)變儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：技術(shù)規(guī)格：10通道，500KHz頻響，橋盒電阻分別為120Ω,240Ω　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：超動(dòng)態(tài)應(yīng)變測(cè)量　　儀器聯(lián)系人...

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激光衍射粒度分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：測(cè)量范圍：0.05-550μm　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：在0.05-550μm范圍內(nèi)液體，固體和乳化液的粒度分布檢測(cè)。　　儀器聯(lián)...

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原子吸收分光光度計(jì)

　　主要技術(shù)指標(biāo)：可分析檢測(cè)適應(yīng)于原子吸收方法(火焰法)分析的各種元素。　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：生物醫(yī)學(xué)，石油化工，地質(zhì)礦產(chǎn)　　檢測(cè)項(xiàng)目：分析檢測(cè)適應(yīng)于原子吸收方法(火焰法)分...

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氮氧氫測(cè)定儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：1、分析范圍：氧：0.05ppm~5.0%(1.0g)，氮：0.05ppm~3.0%(1.0g),氫：0.1ppm~0.25%(1.0g)2、分析精度：氧/氮：0.03ppm或0.5%RSD，二者滿(mǎn)足其一氫：0.05ppm或2.0%RSD，二者...

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X射線(xiàn)衍射儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：18KW轉(zhuǎn)靶立式，管電壓20-40KV管電流10-450mA，穩(wěn)定度±0.01%，自轉(zhuǎn)靶，廣角測(cè)角儀　　主要附件及功能：1、定性分析平滑、扣背底、尋峰、小園標(biāo)讀數(shù)、多峰分離...

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材料顯微鏡

　　主要技術(shù)指標(biāo)：金相觀(guān)察及拍照，晶粒度分析　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　　檢測(cè)項(xiàng)目：1.金相觀(guān)察、拍照，放大倍數(shù)：30-10002.具有圖像處理系統(tǒng)，圖像分析軟...

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電子探針顯微分析儀

　　主要技術(shù)指標(biāo)：分析元素：5B-92U檢測(cè)項(xiàng)目：定性分析，定量分析，元素線(xiàn)分析，元素面分析樣品尺寸：直徑小于30mm，高度小于15mm　　主要應(yīng)用領(lǐng)域：材料，地質(zhì)礦產(chǎn)，機(jī)械工程　...

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透射電鏡樣品前制備儀器

　　主要技術(shù)指標(biāo)：離子槍加速電壓≤6KeV，并可調(diào)；減薄離子束轟擊入射角可調(diào)，其范圍應(yīng)在-10~10度之間　　主要附件及功能：離子槍加速電壓≤6KeV，并可調(diào)；減薄離子束轟擊入射角可...

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