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儀器類別:
應(yīng)用領(lǐng)域:
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主要技術(shù)指標溫控精度為±2℃，流量為2-5m3/h。主要功能測試高溫熔鹽吸熱、傳熱與蓄熱性能；熔鹽流動控制與檢測。技術(shù)特色額定功率：60KW，控溫精度±...
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主要技術(shù)指標1.質(zhì)譜部分離子化法：ESI，APCI離子檢測：正離子，負離子質(zhì)量范圍：m/z10~2000分辨率：R=2M靈敏度：ESI正離子利血平10pgS/N>500(RMS)...
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主要技術(shù)指標切片最小厚度：50nm切片速度：0.05-100mm/秒冷凍溫度：最低溫度-185攝氏度主要功能切片厚度最小可達到50納米，是光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡及紅外線顯微...
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主要技術(shù)指標高壓：200KW；分辯率：0.23nm；放大倍數(shù):2000~150萬倍主要功能樣品形貌、結(jié)構(gòu)及成份分析主要測試或應(yīng)用領(lǐng)域礦業(yè)/冶金,石油/化工,材料/珠寶...
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主要技術(shù)指標溫度范圍：20℃~50℃，噪音：≤±1.5X10-9RIU主要功能檢測高分子聚合物的相對分子量及分子量分布技術(shù)特色新材料、化學(xué)、化學(xué)工程、人體技術(shù)...
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主要技術(shù)指標最大稱重：1g,升溫速度：0.1～40℃/min主要功能質(zhì)量變化的溫度掃描和時間掃描,c-DTA功能技術(shù)特色新材料學(xué)、化學(xué)、化學(xué)工程、人體醫(yī)學(xué)技術(shù)主要測...
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主要技術(shù)指標流速(ml/min):0.000-10流速精度：<0.075%RSD最高耐壓(bar):345樣品溫度范圍：室溫以上5℃-180℃示差折光檢測器噪音：<5X10-8RIU(1ml/min流速)...
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主要技術(shù)指標Quanta400FEG場發(fā)射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一，具有靈活先進的自動化操作系統(tǒng)。具有三種成像真空模式--高真空模式、低真空模式和ESEMTM模式，可以觀察...
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主要技術(shù)指標1、分辨率：1.5nm2、放大倍數(shù)：x10~x500,0003、樣品尺寸：<φ8mmx5mm4、最大尺寸：<100mmx6mm主要功能冷場發(fā)射掃描電子顯微...
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主要技術(shù)指標功率3kW；Mo靶主要功能X射線單晶衍射用于測定各種無機物、有機物的晶體結(jié)構(gòu)。可以獲得樣品的晶胞參數(shù)、鍵長、鍵角、構(gòu)象、氫鍵、分子間堆積作用等信息。...
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主要技術(shù)指標質(zhì)量分析器真空度：<1×10-5Pa(分析室)；質(zhì)量范圍：40-3500u；質(zhì)量穩(wěn)定性：分辨率在1000時，以PFK為標樣，儀器工作4h中，m/z69質(zhì)量飄移在±0.5u以下；...
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主要技術(shù)指標1、二極管陣列檢測器2、波長范圍：190～950nm；3、基線噪聲：±1×10-5AU；4、最小檢測濃度：1.3×10-8g/ml主要功能可對大多...
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主要技術(shù)指標基線噪音：0.01μs檢出限：F-、Cl-<5μg/L；Br-、NO3-、NO2-、K+、Na+、NH4+<15μg/L；SO42-、PO43-、Li+、Ca2+、Mg2+<20μg/L。主要功能...
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主要技術(shù)指標準確度：≤0.3%;精密度：≤0.2%。主要功能用于測定樣品，包括高氟和高氯等困難樣品中C，H，N，S元素的含量技術(shù)特色具有高的精度和很寬的濃...
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主要技術(shù)指標分別率：3～4nm放大倍數(shù)：×8～×3000,000樣品尺寸：2×2～10×10EDS：131eV主要功能1、材料微觀放大成像2、材料微觀...
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主要技術(shù)指標最大扭矩：160NM；最高溫度：450℃；速度范圍：0～120min-1主要功能研究熱塑性材料的熱穩(wěn)定性、剪切穩(wěn)定性、流動和塑化行為對教學(xué)、科研和新材...
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主要技術(shù)指標質(zhì)量范圍：2-1090u分辨率：>2MS/N>185(EI)主要功能氣質(zhì)聯(lián)用儀被廣泛應(yīng)用于復(fù)雜組分的分離與鑒定，其具有GC的高分辨率和質(zhì)譜的高靈敏度，廣泛應(yīng)用...
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主要技術(shù)指標滿度電流量程：2A到200nA輸出電壓:>±30V參考電極輸入阻抗：>10GΩ，電容50pF直流極化電壓范圍：±14.5V電流范圍：±2A，最大分辨率100...
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主要技術(shù)指標真空度:1*10”-4Pa,最高溫度:1600主要功能在高溫區(qū)內(nèi)快速加熱蒸發(fā)原材料，在低溫區(qū)迅速冷卻而合成所需結(jié)構(gòu)或材料。技術(shù)特色高熔點材料的制備以及...
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主要技術(shù)指標Z方向位移分辨率<0.01nm載荷分辨率：50nN最大壓入深度：>500μmX-YTable位移分辨率：1μm在X和Y方向工作范圍可達100μm量程：1.5...
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