熔鹽加熱系統(tǒng)

主要技術指標溫控精度為±2℃，流量為2-5m3/h。主要功能測試高溫熔鹽吸熱、傳熱與蓄熱性能；熔鹽流動控制與檢測。技術特色額定功率：60KW，控溫精度±...

中山大學

高效液相色譜質譜聯(lián)用儀

主要技術指標1.質譜部分離子化法：ESI，APCI離子檢測：正離子，負離子質量范圍：m/z10~2000分辨率：R=2M靈敏度：ESI正離子利血平10pgS/N>500(RMS)...

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冷凍超薄切片機

主要技術指標切片最小厚度：50nm切片速度：0.05-100mm/秒冷凍溫度：最低溫度-185攝氏度主要功能切片厚度最小可達到50納米，是光學顯微鏡、電子顯微鏡及紅外線顯微...

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高分辨透射電子顯微鏡

主要技術指標高壓：200KW；分辯率：0.23nm；放大倍數(shù):2000~150萬倍主要功能樣品形貌、結構及成份分析主要測試或應用領域礦業(yè)/冶金,石油/化工,材料/珠寶...

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凝膠滲透色譜儀

主要技術指標溫度范圍：20℃~50℃，噪音：≤±1.5X10-9RIU主要功能檢測高分子聚合物的相對分子量及分子量分布技術特色新材料、化學、化學工程、人體技術...

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熱重分析儀

主要技術指標最大稱重：1g,升溫速度：0.1～40℃/min主要功能質量變化的溫度掃描和時間掃描,c-DTA功能技術特色新材料學、化學、化學工程、人體醫(yī)學技術主要測...

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高溫凝膠色譜儀

主要技術指標流速(ml/min):0.000-10流速精度：<0.075%RSD最高耐壓(bar):345樣品溫度范圍：室溫以上5℃-180℃示差折光檢測器噪音：<5X10-8RIU(1ml/min流速)...

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熱場發(fā)射環(huán)境掃描電鏡

主要技術指標Quanta400FEG場發(fā)射掃描電子顯微鏡是表面分析重要的表征工具之一，具有靈活先進的自動化操作系統(tǒng)。具有三種成像真空模式--高真空模式、低真空模式和ESEMTM模式，可以觀察...

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冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡

主要技術指標1、分辨率：1.5nm2、放大倍數(shù)：x10~x500,0003、樣品尺寸：<φ8mmx5mm4、最大尺寸：<100mmx6mm主要功能冷場發(fā)射掃描電子顯微...

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X-射線單晶衍射儀

主要技術指標功率3kW；Mo靶主要功能X射線單晶衍射用于測定各種無機物、有機物的晶體結構。可以獲得樣品的晶胞參數(shù)、鍵長、鍵角、構象、氫鍵、分子間堆積作用等信息。...

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高分辨磁質譜儀

主要技術指標質量分析器真空度：<1×10-5Pa(分析室)；質量范圍：40-3500u；質量穩(wěn)定性：分辨率在1000時，以PFK為標樣，儀器工作4h中，m/z69質量飄移在±0.5u以下；...

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液相色譜儀

主要技術指標1、二極管陣列檢測器2、波長范圍：190～950nm；3、基線噪聲：±1×10-5AU；4、最小檢測濃度：1.3×10-8g/ml主要功能可對大多...

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離子色譜儀

主要技術指標基線噪音：0.01μs檢出限：F-、Cl-<5μg/L；Br-、NO3-、NO2-、K+、Na+、NH4+<15μg/L；SO42-、PO43-、Li+、Ca2+、Mg2+<20μg/L。主要功能...

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元素分析儀

主要技術指標準確度：≤0.3%;精密度：≤0.2%。主要功能用于測定樣品，包括高氟和高氯等困難樣品中C，H，N，S元素的含量技術特色具有高的精度和很寬的濃...

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高低真空掃描分析電子顯微鏡

主要技術指標分別率：3～4nm放大倍數(shù)：×8～×3000,000樣品尺寸：2×2～10×10EDS：131eV主要功能1、材料微觀放大成像2、材料微觀...

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轉矩流變儀

主要技術指標最大扭矩：160NM；最高溫度：450℃；速度范圍：0～120min-1主要功能研究熱塑性材料的熱穩(wěn)定性、剪切穩(wěn)定性、流動和塑化行為對教學、科研和新材...

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氣相色譜-質譜聯(lián)用儀

主要技術指標質量范圍：2-1090u分辨率：>2MS/N>185(EI)主要功能氣質聯(lián)用儀被廣泛應用于復雜組分的分離與鑒定，其具有GC的高分辨率和質譜的高靈敏度，廣泛應用...

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通用電化學系統(tǒng)

主要技術指標滿度電流量程：2A到200nA輸出電壓:>±30V參考電極輸入阻抗：>10GΩ，電容50pF直流極化電壓范圍：±14.5V電流范圍：±2A，最大分辨率100...

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立式高頻感應爐

主要技術指標真空度:1*10”-4Pa,最高溫度:1600主要功能在高溫區(qū)內(nèi)快速加熱蒸發(fā)原材料，在低溫區(qū)迅速冷卻而合成所需結構或材料。技術特色高熔點材料的制備以及...

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納米力學測試系統(tǒng)

主要技術指標Z方向位移分辨率<0.01nm載荷分辨率：50nN最大壓入深度：>500μmX-YTable位移分辨率：1μm在X和Y方向工作范圍可達100μm量程：1.5...

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