激光共聚焦顯微鏡 (confocal laser fluorescence microscopy)

主要技術指標：1、熒光共聚焦觀察，63X，100X油鏡，倒置2、全內(nèi)反射成像 功能/應用范圍：功能：三維熒光成像、FILP，F(xiàn)RAP，F(xiàn)RET等應用范圍：納米材料、物理、化學、高分子、...

復旦大學化學系

X射線能譜儀

主要技術指標：1.分辨率EnergyResolution:在MnKa線處測量分辨率≤127eVEnergyresolution≤127eV,atMnKaline2.超輕元素分辨率LightElementEnergyResolution:在FKa線處測量分...

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場發(fā)射透射電子顯微鏡(Field Emission Transmission Electron Microscope)

主要技術指標：點分辨率：0.24nm,晶格分辨：0.102nm,信息分辨率：0.14nm,STEM分辨率：0.20nmEDS(能譜儀)能量分辨率：<127eV,元素范圍：Be-Cf　　功能/應用范圍：納米材...

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電子束蒸發(fā)系統(tǒng) (Electron Beam Evaporator)

主要技術指標：.真空<3X10-9托　　功能/應用范圍：現(xiàn)有功能：a.三個室:進樣室、分析室、生長室。b.二個蒸發(fā)源、一個P型摻雜源和一路反應氣體c.反射高能電子衍射儀(RHEED)d.四...

復旦大學物理學系

硅分子束外延系統(tǒng) (Silicon Molecular Beam Epitaxy System)

主要技術指標：真空<1X10-9torr　　功能/應用范圍：SiliconMolecularBeamEpitaxySystem(RiberEva-32)two-chambersystemfacilitatedwithtwoe-beamsources,Band...

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物理特性測試系統(tǒng) (physical property measurement system)

主要技術指標：溫度范圍：1.9-400K；磁場：+-9TACMS選件：交流磁化率：2*10-8emu；直流磁化率：2.5*10-5emu；VSM選件：直流磁化率：10-7emuACT交流電輸運；Resistivity電阻(<=4M歐姆...

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飛秒脈沖激光器系統(tǒng) (Ultrafast Pulse laser system)

主要技術指標：飛秒脈沖激光系統(tǒng)，脈沖寬度為150fs，單脈沖能量為800uJ(波長800nm處)，重復頻率為1000Hz 功能/應用范圍：可以研究fs量級的動力學過程，測量光子壽命&nbs...

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磁光測量低溫恒溫系統(tǒng) (magneto plasmadynamic measurement low temperature

　　主要技術指標：用于磁光效應的檢測，可以測量其偏振性，相干性 　　功能/應用范圍：磁體，光學測量 　　主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾其他...

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拉曼熒光光譜儀 (Raman fluorescent Spectrograph)

主要技術指標：配有633nm激光，也可以引入其他波長激光器，鏡頭有10，40，50倍，可以進行熒光的測量和拉曼散射的測量 功能/應用范圍：測量熒光光譜，拉曼散射譜 ...

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光子壽命測量控制裝置 (Photon life measurement control equipment)

　　主要技術指標：可以測量fs量級的粒子壽命，研究光學材料的性能 　　功能/應用范圍：測量光子壽命 　　主要測試和研究領域：材料/珠寶首飾其他...

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熒光光譜儀 (Fluorescence spectroscope)

主要技術指標：焦距320mm孔徑f/4.1光譜范圍150~1500nm，用1200條/mm光柵；光柵尺寸68mmx68mm支座上最多可裝光柵數(shù)3平場尺寸30mmx12mm分辨率(用出口狹縫和光電倍增管時)0.06nm波...

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氧化物薄膜分子束外延設備 (oxide molecular beam exptaxy system)

主要技術指標：真空度10e-9mbar8個單質(zhì)蒸發(fā)源單原子層精度控制氧化物薄膜生長襯底10X10mm　　功能/應用范圍：小尺寸氧化物薄膜生長　　技術特色：單原子層精度控制氧化...

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實時勞爾反饋系統(tǒng)

主要技術指標：實時顯示數(shù)據(jù)結(jié)果，10秒鐘以內(nèi)成像方式，脫離對傳統(tǒng)膠片等化學污染品的依賴，整個系統(tǒng)應具有多自由度調(diào)節(jié)，可以任意調(diào)整到需要的實驗位置。換樣時間小于5分鐘，方便迅速。...

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超短脈沖激光器

主要技術指標：Avg.ModelockedPower:>300mW　Bandwidth:>70nm　CentralWavelength(nominal):800nm　RepetitionRate:80MHz　PulseWidth:<20fs　Internal...

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