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半導體測試設備

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品　　牌：
華科智源

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出廠價：
1

主要規格：

用　　途：
廣泛應用于器件設計，封裝測試，軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機等

華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態參數測試儀可用于多種封裝形式的 IGBT測試，還可以測量大功率二極管、IGBT模塊，大功率 IGBT、大功率雙極型晶體管，MOS管等器件的 V-I 特性測試，測試1200A（可擴展至2000A），5000V以下的各種功率器件，廣泛應用于軌道交通，電動汽車，風力發電，變頻器，焊機行業的IGBT來料選型和失效分析，設備還可以用于變頻器，風電，軌道交通，電焊機等行業的在線檢修，無需從電路板上取下來進行單獨測試，可實現在線IGBT檢測，測試方便，測試過程簡單，既可以在測試主機里設置參數直接測試，又可以通過軟件控制主機編程后進行自動測試，通過電腦操作完成 IGBT 的靜態參數測試；產品信息： 1、產品型號及名稱：IGBT靜態參數測試儀 2、產品測試電流電壓為1600A,±5000V,向下兼容 3、VGE最高可達±100V；開啟電壓VGETH支持兩種測試方法； 4、采用插槽式設計結構，便于升級和維護； 5、設備支持SI基，SIC材料的MOS管，IGBT單管及模塊，二極管測試，晶閘管測試， 6、自動進行分檔測試，既覆蓋大功率特征下的測試范圍，又可保證小功率器件測試精度 7、支持單點測試，I-V曲線掃描，還具有曲線對比功能； 8、測試數據可存儲為Excel文件，WORD報告 9、安全性，防爆，防觸電，防燙傷，短路保護等多重保護措施，確保操作人員、設備、數據及樣品安全。測試參數： ICES 集電極-發射極漏電流 IGESF 正向柵極漏電流 IGESR 反向柵極漏電流 BVCES 集電極-發射極擊穿電壓 VGETH 柵極-發射極閾值電壓 VCESAT 集電極-發射極飽和電壓 ICON 通態電極電流 VGEON 通態柵極電壓 VF 二極管正向導通壓降整個測試過程自動完成，電腦軟件攜帶數據庫管理查詢功能，可生成測試曲線，方便操作使用基礎能力： 1) 測試電壓范圍：0-±5000V 2) 測試電流范圍：0-±1600A 3) 測試柵極電壓范圍：0-±100V 4) 電壓分辨率：0.1mV 5) 電流分辨率：0.1nA 測試種類及參數：（1）Diode（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態參數：BVR/擊穿電壓、IR/漏電流、VF/正向壓降；（2）MOSFET（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態參數：BVDSS/漏源極擊穿電壓，VGS(th)/柵極開啟電壓，IDSS 漏源極漏電流、VF/二極管正向壓降；Rdson 內阻（3）IGBT單管及模塊（支持 Si ,SiC , GaN 材料器件）靜態參數：BVCES/集射極擊穿電壓，VGE(th)/柵極開啟電壓、ICES/集射極漏電流、VF/二極管正向壓降；VCESAT/飽和壓降，IGESR,IGESF 柵極漏電流

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