失效分析檢測(cè)公司推薦的設(shè)備，功能多多，科研利器！

顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)

金鑒顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)（GMATG-G5）由金鑒實(shí)驗(yàn)室和英國(guó)GMATG公司聯(lián)合推出，采用法國(guó)的非晶硅紅外ULIS探測(cè)器，通過(guò)算法、芯片和圖像傳感技術(shù)的改進(jìn)，打造出一套高精智能化的顯微紅外熱分布測(cè)試體系。這套測(cè)試體系專為微觀熱成像設(shè)計(jì)，價(jià)格遠(yuǎn)低于國(guó)外同類產(chǎn)品，除傳統(tǒng)紅外熱成像的優(yōu)勢(shì)外，還具有更高精度的成像系統(tǒng)、更高的溫度靈敏度，更便捷的操作體系，并為微觀熱成像研究添加諸多實(shí)用和創(chuàng)新的功能，是關(guān)注微觀熱分布的科研和生產(chǎn)必不可少工具。

金鑒在線技術(shù)客服周工：18811843699（微信同號(hào)）

金鑒顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)已演化到第五代：配備20um的微距鏡，可用于觀察微米級(jí)別芯片的紅外熱分布；通過(guò)軟件算法處理，圖像的分辨率高達(dá)5μm，能看清芯片金道；高低溫?cái)?shù)顯精密控溫體系，可以模擬芯片工作溫度；區(qū)域發(fā)射率校準(zhǔn)軟件設(shè)置，根據(jù)被測(cè)物上的不同材質(zhì)，設(shè)置不同發(fā)射率，才能得到最真實(shí)的溫度值；具備人工智能觸發(fā)記錄和大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能，適合電子行業(yè)相關(guān)的來(lái)料檢驗(yàn)、研發(fā)檢測(cè)和客訴處理，以達(dá)到企業(yè)節(jié)省研發(fā)和品質(zhì)支出的目的。

金鑒實(shí)驗(yàn)室聯(lián)合英國(guó)GMATG公司設(shè)立儀器研發(fā)中心，自主研發(fā)的主要設(shè)備有顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)、顯微紅外定位系統(tǒng)和激光開(kāi)封系統(tǒng)。產(chǎn)品獲得中科院、暨南大學(xué)、南昌大學(xué)、華南理工大學(xué)、華中科技大學(xué)、士蘭明芯、清華同方、華燦光電、三安光電、三安集成、天電光電、瑞豐光電等高校科研院所和上市公司的廣泛使用，廣受老師和科研人員普遍贊譽(yù)，性能卓著，值得信賴。

與傳統(tǒng)紅外熱像儀相比，金鑒顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)顯著：

應(yīng)用領(lǐng)域：

適用于LED、半導(dǎo)體器件、電子器件、激光器件、功率器件、MEMS、傳感器等樣品的研發(fā)設(shè)計(jì)、來(lái)料檢驗(yàn)、失效分析、熱分布測(cè)量、升溫?zé)岱植紕?dòng)態(tài)采集。

金鑒顯微熱分布與傳統(tǒng)設(shè)備大PK：

更多測(cè)試案例分享：http://www.gmatg.com/shebei-20.html?

金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)特點(diǎn)：

1. 20μm微距鏡，通過(guò)軟件強(qiáng)化像素功能將畫(huà)質(zhì)清晰度提高4倍，圖像分辨率提高至5μm，可用于觀察芯片微米級(jí)別的紅外熱分布。

LED芯片熱分布圖 

2. 模擬器件實(shí)際工作溫度進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)更真實(shí)有效。

電子元器件性能受溫度的影響較大，金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)配備高低溫?cái)?shù)顯精密控溫平臺(tái)，控溫范圍：室溫~200℃，能有效穩(wěn)定環(huán)境溫度，模擬器件實(shí)際工作溫度進(jìn)行測(cè)試，提供更為真實(shí)有效的數(shù)據(jù)。配備的水冷降溫系統(tǒng)，在100s內(nèi)可將平臺(tái)溫度由100℃降到室溫，有效解決了樣品臺(tái)降溫困難的問(wèn)題

3. 1TB超大視頻錄制支持老化測(cè)試等長(zhǎng)期實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè)。

金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)的全輻射視頻錄像可保存每一幀畫(huà)面所有像素的溫度數(shù)據(jù)，支持逐幀分析熱過(guò)程和變化，可全面的觀測(cè)分析溫度與時(shí)間的關(guān)系、溫度與空間的關(guān)系，更容易發(fā)現(xiàn)和確認(rèn)真實(shí)的溫度值，以及需要進(jìn)一步檢查的位置。

燈具溫升變化圖 燈珠芯片溫升變化圖

4. 熱靈敏度和分辨率高，便于分辨更小溫差和更小目標(biāo)，提供更清晰的熱像。
        專業(yè)測(cè)溫，-20℃~650℃寬溫度量程，測(cè)溫誤差±2℃或±2%。熱靈敏度0.03℃，便于分辨更小的溫差和更小目標(biāo)，提供更清晰的熱像。紅外分辨率640x480，若使用算法改進(jìn)的像素增強(qiáng)功能，可有4倍圖像清晰度，畫(huà)質(zhì)提升為1280x960。

5. 定制化的熱像分析軟件，為科研和分析提供專業(yè)化的數(shù)據(jù)支持。

金鑒定制PC端、APP分析軟件: IR pro、JinJian IR，針對(duì)不同測(cè)試樣品開(kāi)發(fā)的特殊應(yīng)用功能，人性化的操作界面，糾正多種錯(cuò)誤測(cè)溫方式，具備強(qiáng)大的熱像圖片分析和報(bào)告功能，方便做各個(gè)維度的溫度數(shù)據(jù)分析和圖像效果處理。

（1） PC和手機(jī)觸屏操作界面，簡(jiǎn)單易學(xué)，即開(kāi)即用。

手機(jī)軟件主界面

PC軟件主界面

（2）支持高低溫自動(dòng)捕捉，多個(gè)點(diǎn)、線、面的實(shí)時(shí)溫度顯示、分析功能，可導(dǎo)出時(shí)間溫度曲線、三維溫度圖等測(cè)試數(shù)據(jù)。

（3）多達(dá)15種調(diào)色板，適用于不用的測(cè)試樣品和場(chǎng)景需求，顯示顏色的變化不影響溫度的測(cè)試。

（4）發(fā)射率校正，反應(yīng)最真實(shí)的溫度。

       微小器件由不同材質(zhì)組成，不同材質(zhì)、不同粗糙度等都影響發(fā)射率，圖像上大部分對(duì)比度通常是由于發(fā)射率變化而不是溫度變化引起的，因此發(fā)射率校正顯得尤為重要。金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)可靈活設(shè)置不同區(qū)域的發(fā)射率，實(shí)現(xiàn)不同材質(zhì)單獨(dú)測(cè)量，溫度測(cè)試更加準(zhǔn)確。

（5）視頻錄制觸發(fā)與自由定義幀頻，最快25幀/秒，可精準(zhǔn)捕捉有效的溫度數(shù)據(jù)和視頻圖像。

（6）切換圖像模式，可實(shí)現(xiàn)熱像圖和可見(jiàn)光圖融合，可查看畫(huà)面中高溫區(qū)域或溫度變化較大區(qū)域。

圖像模式

熱成像-可見(jiàn)光融合圖

（7）導(dǎo)出熱像圖全部像素點(diǎn)溫度數(shù)據(jù)值，為專業(yè)仿真軟件建立溫度云圖等分析提供原始建模數(shù)據(jù)。

（8）溫差模式，可直觀獲取任意兩張熱像圖的溫度差異，分析更快速精準(zhǔn)。

測(cè)試案例:

高精度顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)?

案例一：不同環(huán)境溫度下熱分布測(cè)試

金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)配備高精度控溫體系，可實(shí)現(xiàn)器件在不同溫度下的熱分布測(cè)試。本案例模擬燈具芯片在不同環(huán)境溫度下的結(jié)溫及熱分布狀態(tài)，測(cè)試結(jié)果表明，控制環(huán)境溫度達(dá)到80℃時(shí)，芯片結(jié)溫122℃，繼續(xù)升高環(huán)境溫度可能導(dǎo)致芯片發(fā)光效率低下甚至芯片受損。

案例二：不同廠家芯片光熱分布差異

以下案例中A款芯片發(fā)光最強(qiáng)，發(fā)熱量最小，光熱分布最均勻，量子效率最高。強(qiáng)烈建議LED芯片規(guī)格書(shū)里添加不同使用溫度下的光熱分布數(shù)據(jù)！做好光熱分布來(lái)料檢驗(yàn)，可以使LED最亮，溫度最低，而成本最低，質(zhì)量更可靠。

案例三：多芯片封裝，電流密度均勻性需把控

某款燈珠采用兩顆芯片并聯(lián)的方式封裝，金鑒顯微光分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得B芯片發(fā)光強(qiáng)度較A芯片的大，顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)測(cè)得B芯片表面溫度高于A芯片。分析其原因，LED芯片較小的電壓波動(dòng)都會(huì)產(chǎn)生較大的電流變化，該燈珠兩顆芯片采用并聯(lián)方式工作，兩顆芯片兩端的電壓一樣，芯片電阻之間的差異會(huì)造成流過(guò)兩顆芯片的電流存在較大差異，從而出現(xiàn)一個(gè)燈珠內(nèi)兩顆芯片亮度不一的現(xiàn)象，影響燈珠性能。

案例四：倒裝芯片光熱分布分析

      失效分析案例中，CSP燈珠出現(xiàn)膠裂異常，金鑒顯微熱分布測(cè)試分析顯示，芯片負(fù)極焊盤區(qū)域溫度比正極焊盤區(qū)域溫度高約15℃。因此，推斷該芯片電流密度均勻性較差，導(dǎo)致正負(fù)極焊盤位置光熱分布差異較大，局部熱膨脹差異過(guò)大從而引起芯片上方封裝膠開(kāi)裂異常。 

案例五：顯示屏模組熱分布監(jiān)測(cè)

PCB板大屏顯示模組存在過(guò)熱區(qū)，過(guò)熱區(qū)亮度會(huì)偏低，高溫還會(huì)加速LED光源的老化，熱分布不均勢(shì)必會(huì)造成發(fā)光不均，影響顯示模組清晰度。在顯示屏分辨率快速提升的當(dāng)下，光熱分布不均已成為制約LED顯示屏清晰度的最大因素。因此，提升LED顯示屏光熱分布均勻性對(duì)提高當(dāng)下LED顯示屏清晰度，意義重大！

案例六：IC器件熱分布測(cè)試

未開(kāi)封的IC器件也可觀察到表面熱分布圖。無(wú)需化學(xué)或激光開(kāi)封，金鑒的紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)使用更高靈敏度的探頭以及更先進(jìn)的圖像優(yōu)化技術(shù)，即可了解器件內(nèi)部熱分布高點(diǎn)和低點(diǎn)的區(qū)域，真正實(shí)現(xiàn)無(wú)損檢測(cè)。

案例七：LED燈具熱分布測(cè)試

日常使用的燈具過(guò)熱容易引起電子器件故障，縮短產(chǎn)品使用壽命，嚴(yán)重甚至造成安全隱患，檢測(cè)LED燈具發(fā)熱均勻情況能幫助設(shè)計(jì)產(chǎn)品，合理布置發(fā)熱部件，有效防止過(guò)熱。

LED燈具熱分布

案例八：定位電源失效區(qū)域

電源失效案例中，金鑒使用紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)對(duì)電源進(jìn)行測(cè)試，發(fā)現(xiàn)電源結(jié)構(gòu)中的R5電阻在使用時(shí)發(fā)熱嚴(yán)重，溫度高達(dá)90℃。廠家建議碳膜電阻在滿載功率時(shí)最佳工作溫度在70℃以下，而該電源中R5碳膜電阻在90℃溫度下滿載工作，長(zhǎng)期使用過(guò)程中導(dǎo)致R5電阻失效。

電源熱分布圖及熱點(diǎn)定位

案例九：OLED熱分布測(cè)試

OLED發(fā)光材料像素在不同溫度下表現(xiàn)出不同的發(fā)光特性，溫度的分布不均會(huì)使得OLED顯示面板中各處的薄膜晶體管的閾值電壓和遷移率的變化也分布不均，進(jìn)而導(dǎo)致整個(gè)顯示面板出現(xiàn)發(fā)光亮度不均。

案例十：集成電路芯片溫度測(cè)試

通過(guò)金鑒顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)可測(cè)試封裝后集成電路芯片工作時(shí)的溫度及溫度場(chǎng)分布，也可以直接測(cè)試芯片微米大小區(qū)域的溫度數(shù)據(jù)，觀察芯片的溫度場(chǎng)分布，輕松發(fā)現(xiàn)溫度聚集點(diǎn)，并且能夠測(cè)試芯片開(kāi)啟后的溫升曲線，判斷芯片達(dá)到熱穩(wěn)定的時(shí)間。

集成電路芯片工作時(shí)的熱分布及局部放大熱分布圖

集成電路芯片通電開(kāi)啟后的溫升曲線

集成電路芯片通電開(kāi)啟熱分布瞬態(tài)圖

案例十一：熱分布測(cè)試應(yīng)用于PCB領(lǐng)域

紅外熱分布測(cè)試用于PCB板的檢測(cè)，可直觀顯示電路板各區(qū)域和元件的溫度分布，設(shè)計(jì)階段可用于分析電路板布局設(shè)計(jì)是否合理，最大限度地減少故障排查和維修帶來(lái)的高成本。生產(chǎn)階段也可及時(shí)發(fā)現(xiàn)可靠性隱患，因?yàn)楫惓＝M件的升溫速度通常比正常的要快，通過(guò)熱分布測(cè)試，許多缺陷在出廠前就能被發(fā)現(xiàn)。

案例十二：熱分布系統(tǒng)全輻射視頻錄像功能應(yīng)用于GaN器件領(lǐng)域

      電子元器件器件實(shí)際應(yīng)用過(guò)程中，進(jìn)行單一熱像圖的分析往往是不夠的，例如某GaN器件，其工作時(shí)的各項(xiàng)性能參數(shù)受溫度影響較大，因此需要監(jiān)控器件開(kāi)始工作瞬間直至穩(wěn)定的整個(gè)溫度變化過(guò)程，這就涉及到金鑒顯微熱分布測(cè)試系統(tǒng)的全輻射視頻錄像功能。金鑒顯微紅外熱分布測(cè)試系統(tǒng)全輻射視頻錄像功能采樣速率可達(dá)到25幀/秒，可實(shí)現(xiàn)1TB單個(gè)視頻錄制，輕松捕捉器件通電瞬間溫升變化。通過(guò)逐幀分析器件的升溫過(guò)程全輻射視頻錄像可以看出，器件通電瞬間開(kāi)始升溫，這個(gè)瞬間時(shí)長(zhǎng)僅有幾十個(gè)毫秒左右，并在開(kāi)始通電后2分鐘左右達(dá)到溫度穩(wěn)定，同時(shí)各項(xiàng)電性參數(shù)也達(dá)到穩(wěn)定。

GaN器件工作過(guò)程溫升變化曲線            GaN器件工作過(guò)程電流變化曲線

案例十三：電器開(kāi)關(guān)柜紅外熱分布測(cè)試

電氣設(shè)備在生產(chǎn)中已廣泛采用，而電氣故障是不可避免的，如何排查電氣故障是面臨的一大問(wèn)題。電氣設(shè)備的初期異常通常伴隨溫度的變化跡象，采用紅外熱分布測(cè)試可在不斷電狀態(tài)下進(jìn)行檢測(cè)工作，及時(shí)發(fā)現(xiàn)和診斷問(wèn)題。