各類腐蝕試驗/晶間腐蝕/鹽霧腐蝕/應力腐蝕/抗硫抗氫腐蝕，專業材料腐蝕檢驗機構，權威檢測報告，歡迎來電咨詢。成女士：18961839066 座機：0510-82031605   QQ：2946662750郵箱：195@rd-test.com 

沿著邊界發生的選擇性腐蝕稱為晶間腐蝕,因為金屬的最穩定的結構是它特有的結晶點陣,晶界則是晶粒間的錯接區,因而晶界是高能區,具有更強的化學活性,一般晶界比晶粒腐蝕得快。若晶界明顯活潑得多，就產生晶間腐蝕，其含義是晶界或其臨近產生局部腐蝕，至于具體腐蝕原因和過程，則依不同的合金而異。
18-8奧氏體不銹鋼在500～800攝氏度溫度范圍內加熱后，變得敏化，易于發生晶間腐蝕，幾乎一致認為，奧氏體不銹鋼晶間腐蝕的理論是基于晶界貧鉻。普通的18-8不銹鋼，一般含碳量為0.06～0.08％。當含碳量約為0.02％或更高時，在500～800攝氏度范圍內，Cr23C6實際上不固溶，并從固體中沉淀出來，結果使與晶界臨近的金屬中的鉻含量降低，貧鉻區發生腐蝕。防止或減緩晶間腐蝕的措施：a.選用抗晶間腐蝕的合金;
b.選擇合適的熱處理工藝，如鋁合金過時效處理；c.在確定焊接工藝，鋁合金膠接及銑切工藝，回避容易產生晶間腐蝕的溫度下處理。

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晶間腐蝕檢測：金屬晶界區域的溶解速度遠大于晶粒本體的溶解速度時，就會產生晶間腐蝕，產生原因主要是金屬晶界區的物質同晶粒本體的電化學性質有差異（外在要具有適當的介質在該介質條件下足以顯示出晶界物質同晶粒本體之間的電化學性質差異，而這種差異引起不等速溶解）。當固溶處理后的奧氏體不銹在500~850溫度范圍內加熱時過飽和的碳就要全部或部分地從奧氏體中析出，形成鉻地碳化物，分布在晶界上，析出的碳化鉻的含鉻量比奧氏體基體的含鉻量高得多，含鉻量這樣高的碳化晶界析出必然使碳化物附近的晶界區貧鉻，形成貧鉻區，貧鉻區的電解密度比晶粒本體溶解電解密度大很多，從而使貧鉻區優先溶解，產生晶間腐蝕。