一：XPS測(cè)試深度

測(cè)試深度：金屬0.5~3nm，氧化物2~4nm，有機(jī)物4~10nm；理論測(cè)試面積：Φ200μm，Φ400μm，Φ800μm，800μm*2000μm，實(shí)際面積在理論面積的三倍以上；定性檢測(cè)限0.1at%；定量誤差±10at%。異物尺寸要求大于Φ2000μm。

二： XPS 測(cè)試模式

3.1 全譜分析（Survey模式），測(cè)試樣品中包含的元素。免費(fèi)解譜，確認(rèn)樣品中的元素和元素含量。

3.2 窄譜分析（UTIL模式），用來確認(rèn)化學(xué)價(jià)態(tài)。

3.3 深度剖析（UTIL模式），首先需要客戶提供膜層的主要成分，或者測(cè)試EDS。

三： 測(cè)試內(nèi)容
•表面成分及化學(xué)態(tài)分析：
•極高的表面靈敏度 < 10nm，一般是5nm
•檢測(cè)除了H 、He以外的所有元素
•檢測(cè)極限:0.1％
•化學(xué)價(jià)態(tài)信息
•元素沿樣品的深度分布

四：應(yīng)用領(lǐng)域
•電子電器(如PCB板，面板。。)
•半導(dǎo)體（導(dǎo)氣管內(nèi)壁，芯片，磁盤。。）
•鍍層/膜層/涂層（薄鍍層，金，PCB板，禮品）
•表面異物/表面殘留/表面變色/表面氧化
•粉末樣品
•未知樣品/膜層成分剖析
。。。