軍用芯片F(xiàn)T測試，可靠性測試、篩選測試

?芯片測試及技術(shù)交流：

李紹政；138-0884-0060 ；

lisz @ grgtest.com

      芯片F(xiàn)T測試（Final Test 簡稱FT）是指芯片在封裝完成后以及在芯片成品完成可靠性驗(yàn)證后對芯片進(jìn)行測功能驗(yàn)證、電參數(shù)測試。主要的測試依據(jù)是集成電路規(guī)范、芯片規(guī)格書、用戶手冊。

      目前芯片F(xiàn)T測試主要用到ATE測試系統(tǒng)，包括軟件和測試設(shè)備、測試硬件。FT測試主要測試項(xiàng)目如下：

• Open/Short test: 檢查芯片引腳中是否有開路或短路。
• Function test: 測試芯片的邏輯功能。
• DC test: 驗(yàn)證器件直流電流和電壓參數(shù)。
• AC test: 驗(yàn)證交流規(guī)格，包括交流輸出信號的質(zhì)量和信號時(shí)序參數(shù)。
•  Eflash test: 測試內(nèi)嵌flash的功能及性能，包含讀寫擦除動作及功耗和速度等各種參數(shù)。
• Mixed Signal test: 驗(yàn)證DUT數(shù)?；旌想娐返墓δ芗靶阅軈?shù)。
• RF test: 測試芯片里面RF模塊的功能及性能參數(shù)。

我司芯片可靠性驗(yàn)證測試能力如下：

芯片可靠性驗(yàn)證 ( RA)：

芯片級預(yù)處理(PC) & MSL試驗(yàn) 、J-STD-020 & JESD22-A113 ；

高溫存儲試驗(yàn)(HTSL), JESD22-A103 ；

溫度循環(huán)試驗(yàn)(TC), JESD22-A104 ；

溫濕度試驗(yàn)(TH / THB), JESD22-A101 ；

高加速應(yīng)力試驗(yàn)(HTSL / HAST), JESD22-A110；

高溫老化壽命試驗(yàn)(HTOL), JESD22-A108；

芯片靜電測試 ( ESD)：

人體放電模式測試(HBM), JS001 ；

元器件充放電模式測試(CDM), JS002 ；

閂鎖測試(LU), JESD78 ；

TLP；Surge / EOS / EFT；

芯片IC失效分析 ( FA)：

光學(xué)檢查(VI/OM) ；

掃描電鏡檢查(FIB/SEM) ；

微光分析定位(EMMI/InGaAs)；

OBIRCH ；

Micro-probe;

      廣州廣電計(jì)量檢測股份有限公司（GRGT）始建于1964年，是原信息產(chǎn)業(yè)部電子602計(jì)量站，經(jīng)過50余年的發(fā)展，現(xiàn)已成為一家全國化、綜合性的國有第三方計(jì)量檢測機(jī)構(gòu)，專注于為客戶提供計(jì)量、檢測、認(rèn)證以及技術(shù)咨詢與培訓(xùn)等專業(yè)技術(shù)服務(wù)，在計(jì)量校準(zhǔn)、可靠性與環(huán)境試驗(yàn)、電磁兼容檢測等多個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)能力及業(yè)務(wù)規(guī)模處于國內(nèi)領(lǐng)先水平。