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T3Ster熱阻測試儀

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1 元/臺

主要規格：

用　　途：
熱阻測試

T3Ster熱阻測試儀 T3Ster是MicReD研發制造的先進的熱測試儀，用于測試IC、LED、散熱器、熱管等電子器件的熱特性。T3Ster基于先進的JEDEC ‘Static Method’測試方法（JESD51-1），通過改變電子器件的輸入功率，使得器件產生溫度變化，在變化過程中，T3Ster測試出芯片的瞬態溫度響應曲線，僅在幾分鐘之內即可分析得到關于該電子器件的全面的熱特性。T3Ster測試技術不是基于“脈沖方法”的熱測試儀，“脈沖方法”由于是基于延時測量的技術所以其測出的溫度瞬態測試曲線精度不高，而T3Ster 采用的是“運行中”的實時測量的方法，結合其精密的硬件可以快速精確撲捉到高信噪比的溫度瞬態曲線。 T3Ster運用先進的JEDEC穩態實時測試方法（JESD51-1），專業測試各類IC（包括二極管、三極管、MOSFET、SOC、MEMS等）、LED、散熱器、熱管、PCB及導熱材料等的熱阻、熱容及導熱系數、接觸熱阻等熱特性。配合專為LED產業開發的選配件TERALED可以實現LED器件和組件的光熱一體化測量。符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標準法規。 T3Ster熱阻測試儀工作原理 T3Ster設備提供了非破壞性的熱測試方法，其原理為： 1) 首先通過改變電子器件的功率輸入； 2) 通過TSP (Temperature Sensitive Parameter熱敏參數)測試出電子器件的瞬態溫度變化曲線； 3) 對溫度變化曲線進行數值處理，抽取出結構函數； 4) 從結構函數中自動分析出熱阻和熱容等熱屬性參數。 T3Ster熱阻測試儀設備參數 ● 加熱電壓范圍：標配1-10V，不確定度小于±1%。選配功率放大器，最大電壓可達280V ● 加熱電流范圍：標配0.01-2A，不確定度小于±1%。選配功率放大器，最大電流達100A或更大 ● 加熱功率脈沖：無時間限制 ● 熱阻測量范圍：0.002-1000℃/W，不確定度小于±1% ● 測試通道數量：標配2通道，同一主機箱內可以升級至8通道 ● 溫度采集響應時間：1μs ● 溫度測量精度：±0.01℃ ● 通道測量解析度：12bit ● 通道噪聲：±1bit ● 取樣容量：每個通道64k T3Ster熱阻測試儀應用范圍 ● 各種三極管、二極管等半導體分立器件，包括：常見的半導體閘流管、雙極型晶體管、以及大功率IGBT、MOSFET、LED等器件。 ● 各種復雜的IC以及MCM、SIP、SoC等新型結構。 ● 各種復雜的散熱模組的熱特性測試，如熱管、風扇等。 ● 半導體器件結溫測量。 ● 半導體器件穩態熱阻及瞬態熱阻抗測量。 ● 半導體器件封裝內部結構分析，包括器件封裝內部每層結構（芯片+焊接層+熱沉等）的熱阻和熱容參數。 ● 半導體器件老化試驗分析和封裝缺陷診斷，幫助用戶準確定位封裝內部的缺陷結構。 ● 材料熱特性測量（導熱系數和比熱容）。 ● 接觸熱阻測量，包括導熱膠、新型熱接觸材料的導熱性能測試。 T3Ster熱阻測試儀主要特點 ● T3Ster符合JEDEC JESD51-1和MIL-STD-750E標準法規。 ● T3Ster兼具JESD51-1定義的靜態測試法（Static Mode）與動態測試法（Dynamic Mode），能夠實時采集器件瞬態溫度響應曲線（包括升溫曲線與降溫曲線），其采樣率高達1微秒，測試延遲時間高達1微秒，結溫分辨率高達0.01℃。 ● T3Ster既能測試穩態熱阻，也能測試瞬態熱阻抗。 ● T3Ster的研發者MicRed制定了全球一個用于測試LED的國際標準JESD51-51，以及LED光熱一體化的測試標準JESD51-52。T3Ster和TeraLED是目前全球滿足此標準所規定的光熱一體化測試要求的。 ● T3Ster獨創的Structure Function(結構函數)分析法，能夠分析器件熱傳導路徑上每層結構的熱學性能（熱阻和熱容參數），構建器件等效熱學模型，是器件封裝工藝、可靠性試驗、材料熱特性以及接觸熱阻的強大支持工具。因此被譽為熱測試中的“X射線”。 ● T3Ster可以和熱仿真軟件FloEFD無縫結合，將實際測試得到的器件熱學參數導入仿真軟件進行后續仿真優化。

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