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對應法規(guī)：GJB 150.7-86　軍用設備環(huán)境試驗方法太陽輻射試驗 GB 4797.4-1989 電工電
CNAS認可項目：是

太陽輻射試驗（氙燈暴露試驗、碳弧燈暴露試驗、鹵素燈暴露試驗）加熱效應主要是由太陽輻射能中紅外光譜部分產生的,主要引起產品短時高溫和局部過熱,造成一些對溫度敏感的元器件失效,結構材料的機械破壞和絕緣材料的過熱損壞等。光化學效應主要是由太陽輻射能中紫外光譜部分產生的,紫外光譜提供的光能量足以激發(fā)有機材料分子使其健斷裂、降解或交互,從而使材料老化變質。當太陽輻射與溫度、濕度等氣候因素綜合作用時,它的破壞更為明顯。最易發(fā)現的損壞是變形、變色、失去光澤、粉化、開裂等表面損壞,同時,其內在的機械性能和電氣性能也會隨之降低,從而使材料的使用價值降低,甚至報廢。一般加熱效應多采用循環(huán)方式：8小時連續(xù)照射，16小時保持黑暗，此24小時為一個循環(huán)。而光化學效應多采用連續(xù)照射，光化學效應試驗用于研究長期暴露于日照對試驗樣品的影響。通常試驗樣品表面接收大量日光(以及熱和濕氣) 后才開始產生光化學效應。因此,該試驗是一種加速試驗,試驗溫度及輻射強度均采用熱氣候極值條件,每循環(huán)照射時間(20h 以上) 遠遠高于每天太陽照射的實際時間(約12h) 。若采用熱效應循環(huán)來考核試品的光化學效應,可能要進行數月之久才能見效。因此,采用加速的方法,可以縮短再現長期暴曬累積效應的時間。太陽輻射試驗能力： GJB 150.7-86　軍用設備環(huán)境試驗方法太陽輻射試驗 GB 4797.4-1989 電工電子產品自然環(huán)境條件太陽輻射與溫度 GB/T 2423.24-1995《電工電子產品環(huán)境試驗第2部分:試驗方法試驗Sa：模擬地面上的太陽輻射MIL-STD-810F《環(huán)境工程考慮與實驗室試驗》

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