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測(cè)試流程：

1、在樣品斷電的狀態(tài)下，先將溫度下降到-50°C，保持4個(gè)小時(shí);請(qǐng)勿在樣品通電的狀態(tài)下進(jìn)行低溫測(cè)試，非常重要，因?yàn)橥姞顟B(tài)下，芯片本身就會(huì)產(chǎn)生+20°C以上溫度，所以，在通電狀態(tài)下，通常比較容易通過(guò)低溫測(cè)試，必須先將其“凍透”，再次通電進(jìn)行測(cè)試。

2、開機(jī)，對(duì)樣品進(jìn)行性能測(cè)試，對(duì)比性能與常溫相比是否正常。

3、進(jìn)行老化測(cè)試，觀察是否有數(shù)據(jù)對(duì)比錯(cuò)誤。

4、升溫到+90°C，保持4個(gè)小時(shí)，與低溫測(cè)試相反，升溫過(guò)程不斷電，保持芯片內(nèi)部的溫度一直處于高溫狀態(tài)，4個(gè)小時(shí)后，執(zhí)行2、3、4測(cè)試步驟。

5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

5、高溫和低溫測(cè)試分別重復(fù)10次。

如果測(cè)試過(guò)程出現(xiàn)任何一次不能正常工作的狀態(tài)，則視為測(cè)試失敗。

參考標(biāo)準(zhǔn)：

GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A：低溫試驗(yàn)方法

GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B：高溫試驗(yàn)方法

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