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主要技術指標 |
高壓發生器功率：3KW；電流60mA；電壓 60kV。 X光管：陶瓷管；Cu靶。 檢測器：正比充Xe氣計數器，最大計數率1,000,000cps。 測角儀：θ/θ和θ/2θ方式，角度重現性±0.00010，2θ范圍-400—1700。 樣品XYZ范圍：100mm/100mm/12mm，分辨率0.01mm/0.01mm/0.001mm。 樣品傾動角（chi）：1800，分辨率＜0.0050。 樣品旋轉角（phi）：±3600，分辨率＜0.0050。 |
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應用技術領域 |
高分辨x射線衍射儀可用于半導體單晶材料結構分析、應力分析以及位錯研究，對半導體GaN，AlGaN，InN以及GaN/InGaN多量子阱結構材料進行結構，晶體完整性等測試分析。 |
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學科領域 |
半導體單晶材料結構，應力以及位錯分析。可進行θ/θ和θ/2θ掃描，小角略射，到易空間分析等。 |
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主要功能 |
高分辨x射線衍射儀可用于半導體單晶材料結構分析、應力分析以及位錯研究。 |
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主要附件 |
冷水機組。10℃-50℃范圍的溫度控制，水溫可控制精度在2℃范圍。 |
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樣品要求或共享須知 |
大于1*1cm的半導體單晶片。 |
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收費標準 |
暫不共享。 |
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使用人 |
謝自力 |
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儀器地點 |
蒙民偉樓27樓超凈實驗室 |
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儀器管理員 |
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序號 |
姓名 |
聯系電話 |
電子郵箱 |
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1 |
謝自力 |
025-83685367 |
xzl@nju.edu.cn |
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檢測認證人脈交流通訊錄
